方法包括：形成突出高于隔离区域的突出半导体鳍；在突出半导体鳍的第一部分上形成栅极堆叠件；使突出半导体鳍的第二部分凹进以在鳍间隔件之间形成凹槽；以及从凹槽形成外延区域。外延区域的形成包括：生长具有第一掺杂浓度的第一外延层；以及在第一外延层...

本公开涉及激光装置及其使用方法。本文所述的一些实施方式提供了一种激光装置。该激光装置包括所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。该激光装...

本公开涉及集成电路装置以及制造集成电路装置的方法。将磁阻随机存取存储器单元区块以及用于磁阻随机存取存储器单元区块的磁遮蔽结构整合到集成电路装置的金属互连内。磁遮蔽结构可由具有包括磁遮蔽材料的导线以及导孔的金属化层以及导孔层提供。磁遮蔽材...

根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：衬底，包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域；第一鳍，设置在第一区域上方；第二鳍，设置在第二区域上方；第一源极/漏极部件，设置在第一鳍上方；第二源极/漏极部件...

公开了半导体器件及其制造方法。制造方法包括：图案化衬底的顶部，从而形成从衬底凸出的鳍状结构；形成跨越鳍状结构的伪栅极结构，伪栅极结构位于鳍状结构的第一部分和第二部分的正上方，从而限定具有第一宽度和第二宽度的沟道区；利用伪栅极结构作为蚀刻...

在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在半导体部件的沟道区域上形成栅极介电层；在栅极介电层上沉积功函数调整层，功函数调整层包括第一功函数调整元素；通过原子层沉积在功函数调整层上沉积覆盖层，覆盖层由氧化物或氮化物形成；在覆盖层覆盖功函数调...

本发明的实施例提供了集成电路器件、存储器阵列以及存储器单元操作方法。集成电路(IC)器件包括第一端子、第二端子、被配置为在第一状态下具有第一电阻水平并且在第二状态下具有第二电阻水平的电阻式存储器器件、以及包括控制端子和电流路径的开关器件...

用于形成半导体器件结构的方法包括：形成堆叠在衬底上方的交替的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：蚀刻第一半导体层和第二半导体层以形成鳍结构。方法也包括：氧化第一半导体层以形成第一半导体层的第一氧化部分；以及氧化第二半导体层以形成第二...

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第一多层结构，包括：在蚀刻停止层上形成第一导电层；利用等离子体工艺处理第一导电层的上层；在...

制造半导体器件的方法包括在衬底上方交替堆叠第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构，横跨鳍结构形成介电层，以及去除鳍结构的第一半导体层，从而在鳍结构的第二半导体层之间形成间隙。该方法还包括沉积第一金属层以包...

提供具有双侧密封环的半导体结构。根据本发明的半导体结构包括：包括器件区域和围绕器件区域的环形区域的衬底；设置在衬底上方并且包括前侧互连区域和前侧密封环区域的前侧互连结构；以及设置在衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域的背侧互连结...

本公开涉及一种集成芯片结构及其形成方法。集成芯片结构包括设置在衬底上方的介电结构内的底部电极。顶部电极设置在底部电极上方的介电结构内。转换层和离子源层位于底部电极和顶部电极之间。阻挡结构位于底部电极和顶部电极之间。阻挡结构包括金属氮化物...

本申请提供了晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属

本发明的实施例提供了形成互连结构的方法包括在衬底上方沉积介电层，以及蚀刻介电层以形成开口并且暴露介电层下面的第一导电部件。使用其中包括氮的前体形成介电层。方法还包括沉积延伸到开口中的牺牲间隔件层，以及图案化牺牲间隔件层以去除牺牲间隔件层...

提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结...

晶体管(例如，TFT)包括：源极区域和漏极区域，位于绝缘基质层内；U形沟道极板，接触源极区域和漏极区域的侧壁；U形栅极电介质，接触U形半导体金属氧化物极板的内侧壁；以及栅电极，接触U形栅极电介质的内侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及...

本发明实施例提供了半导体结构及其形成方法。可以在衬底上方形成多个垂直堆叠件。每个垂直堆叠件从底部到顶部包括底部电极、介电柱和顶部电极。可以在多个垂直堆叠件上方形成连续的有源层和栅极介电层。牺牲间隔件形成在多个垂直堆叠件周围。通过用介电填...

本发明的实施例提供了一种集成芯片，包括衬底；下部介电结构，位于衬底上方；互连件，位于下部介电结构内；蚀刻停止层，位于下部介电结构上方；层间介电层，位于蚀刻停止层上方；一个或多个开口，延伸穿过层间介电层和蚀刻停止层；存储器单元，包括设置在...

提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的方法包括：在衬底上方形成包括与多个牺牲层交错的多个沟道层的鳍形结构；使鳍形结构的源极/漏极区域凹进，以形成延伸至衬底中并且暴露衬底的部分的源极/漏极凹槽；选择性并且部分使多个牺牲层的侧...

一种半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法，半导体装置包含：一源极、和在第一方向与源极分隔开的漏极。通道层设置于在正交于第一方向的第二方向在源极和漏极的径向外表面上。记忆体层设置在通道层的径向外表面上。导孔设置在漏极的轴向端处，...