本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该方法包括：形成包括源极/漏极区和栅电极的晶体管；形成位于源极/漏极区上方并且电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触插塞；在源极/漏极接触插塞上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成蚀刻...

本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、...

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极...

本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构。半导体结构还包括形成在第一沟道结构和第二沟道结构之间的介电鳍结构。此外，介电鳍结构包括核心部分和连接至核心部分的第一连接部分。该...

提供了一种沉积系统和沉积方法。沉积方法包括：将衬底放置在沉积系统的室中的平台上方。将前体材料引入室。在耦合到室的第一电磁(EM)辐射源前面产生第一气幕。由所述室中的前体材料产生等离子体，其中等离子体包括前体材料的解离组分。使等离子体经受...

提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的半导体结构包括多个晶体管、电耦接至多个晶体管的互连结构、设置在互连结构上方并且与多个晶体管电隔离的金属部件、设置在金属部件上方的绝缘层以及设置在绝缘层上方的第一再分布部件和第二再分布部...

一种形成半导体结构的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，以及对第一晶圆执行修整工艺。去除第一晶圆的边缘部分。在修整工艺之后，第一晶圆具有从第二晶圆的第二侧壁横向凹进的第一侧壁。沉积与第一晶圆的侧壁接触的保护层，其中，沉积工艺包括沉积与第...

本发明的实施例提供了一种制造静态随机存取存储结构的方法，包括：接收工件包括：第一鳍，设置在n型阱上方且沿着第一方向延伸，第二鳍和第三鳍，设置在p型阱上方且沿第一方向延伸，隔离部件，设置在第一鳍和第二鳍之间，第一、第二、第三和第四栅极结构...

本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金...

本实用新型提供半导体结构。半导体结构包括基板以及密封环区，封闭基板上的电路区。密封环区还包括鳍状物环，自基板凸起且具有第一宽度；隔离环位于基板上并与鳍状物环相邻；栅极环，位于鳍状物环上且具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度；外延环，位于...

一种半导体结构，包括：一基板；一密封环区域，绕着基板上方的一电路区域，其中密封环区域包括一密封区域以及一过渡区域，且其中过渡区域设置在密封区域与电路区域之间；以及多个金属层的一堆叠，设置在电路区域、过渡区域及密封区域上方。上述堆叠的金属...

一种存储器装置，包含存储器单元矩阵、预充电电路，以及预充电辅助电路。存储器单元矩阵具有多个存储器单元，多个存储器单元排列在具有多个行及多个列的矩阵中。多个行中的每一行包含连接至第一位元线及第二位元线的第一多个存储器单元。预充电电路连接存...

本公开提出一种场效晶体管装置。具有经过改善的铁电特性以及装置性能。所公开的FeFET装置包括铁电材料栅极介电层以及金属氧化物半导体体通道层，具有经过改善的铁电特性，例如增加的残留极化、低缺陷还有增加的载子迁移率，用以改善装置性能。用以改...

本公开提出一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括导电垫层，形成于基板之上；钝化层，形成于导电垫层之上；第一导孔结构，形成穿过钝化层并接触导电垫层；第一封装材料，包围第一导孔结构；以及重分布层结构，形成于第一导孔结构之上，第一...

提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第...

本申请的实施例提供了存储器系统、存储器器件及其操作方法。存储器系统包括多个存储器单元、多个字线、多个位线和多个源极线。多个存储器单元被布置成行和列，多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极。多个字线中的每个具有对应行，每个字线耦接到对...

一种形成纳米结构场效应晶体管(nano

本申请的实施例提供了一种封装结构及其形成方法，该方法包括：形成多个介电层；形成包括多个金属层的密封环的下部，每个金属层延伸到多个介电层之一中；在多个介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层中形成开口；在开口中形成通孔环并物理接触密封环的下...

公开了形成导电部件的改进方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在第一介电层中提供第一导电部件；在第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层，抗蚀刻层的侧壁与第一介电层的侧壁共末端；在选择性沉积抗蚀刻层之后，在与抗蚀刻层相邻的第...

在实施例中，半导体器件包括：第一半导体部件的第一沟道区上的第一栅极电介质；第一栅极电介质上的第一栅电极；第二半导体部件的第二沟道区上的第二栅极电介质，第二栅极电介质具有比第一栅极电介质大的结晶度；以及第二栅电介质上的第二栅电极。本发明的...