存储器系统、存储器器件及其操作方法技术方案

本申请的实施例提供了存储器系统、存储器器件及其操作方法。存储器系统包括多个存储器单元、多个字线、多个位线和多个源极线。多个存储器单元被布置成行和列，多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极。多个字线中的每个具有对应行，每个字线耦接到对应行中的存储器单元的栅极。多个位线和多个源极线中的每个位线和每个源极线具有对应列，每个位线连接到对应列中的存储器单元的漏极并且每个源极线连接到对应列中的存储器单元的源极。其中在写入操作中，对应于所选存储器单元的所选存储器单元的字线被配置为接收第一电压，位线和源极线被配置为接收第二电压，第一电压或第二电压中的一个为正电压，第一电压或第二电压中的另一个为负电压。个为负电压。个为负电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统、存储器器件及其操作方法


[0001]本专利技术的实施例涉及存储器系统、存储器器件及其操作方法。

技术介绍

[0002]铁电场效应晶体管(FeFET)是包括夹在器件的栅电极和源极
‑
漏极导电区之间的铁电材料的一种类型的场效应晶体管。铁电材料中的永久电场极化导致这种类型的器件在没有电源的情况下保持晶体管的状态(偏置导通或偏置截止)。基于FeFET的器件被用在FeFET存储器中，诸如FeRAM。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种存储器系统，包括：多个存储器单元，排列成行和列，所述多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极；多个字线，所述字线中的每个具有对应的行，其中，所述字线中的每个耦接到所述对应的行中的所述存储器单元的所述栅极；多个位线和多个源极线，所述位线中的每个和所述源极线中的每个具有对应的列，其中，所述位线中的每个连接到所述对应的列中的所述存储器单元的所述漏极，并且所述源极线中的每个连接到所述对应的列中的所述存储器单元的所述源极；其中，在写入操作中，对应于所选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，包括：多个存储器单元，排列成行和列，所述多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极；多个字线，所述字线中的每个具有对应行，其中，所述字线中的每个耦接到所述对应行中的所述存储器单元的所述栅极；多个位线和多个源极线，所述位线中的每个和所述源极线中的每个具有对应列，其中，所述位线中的每个连接到所述对应列中的所述存储器单元的所述漏极，并且所述源极线中的每个连接到所述对应列中的所述存储器单元的所述源极；其中，在写入操作中，对应于所选存储器单元的所述字线被配置为接收第一电压，并且所述所选存储器单元的所述位线和所述源极线被配置为接收第二电压；以及其中，所述第一电压或所述第二电压中的一个为正电压，并且所述第一电压或所述第二电压中的另一个为负电压。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，在所述写入操作中，未选字线、未选位线和未选源极线被配置为接收零伏。3.根据权利要求1所述的存储器系统，包括通过所述多个字线、所述多个位线和所述多个源极线电耦接到所述多个存储器单元的控制电路，所述控制电路被配置为向对应于所述所选存储器单元的所述字线提供所述第一电压以及向所述所选存储器单元的所述位线和所述源极线提供所述第二电压。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，对所述所选存储器单元的所述写入操作包括编程操作或擦除操作。5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，对所述所选存储器单元的所述写入操作是编程操作，并且对应于所述所选存储器单元的所述字线被配置为接收所述正电压作为所述第一电压，并且所述所选存储器单元的所述位线和所述源极线被配置为接收所述负电压作为所述第二电压。6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜慧如，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：