晶体管结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于硅化物区上方并且接触硅化物区的源极/漏极接触插塞、以及环绕源极/漏极接触插塞的隔离层。在源极/漏极接触插塞的俯视图中，源极/漏极接触插塞是细长的，隔离层包括位于所述第一源极/漏极接触插塞的端处的端部和位于所述第一源极/漏极接触插塞的相对端之间的中间部分。端部的端部厚度大于中间部分的中间部分厚度。端部厚度大于中间部分的中间部分厚度。端部厚度大于中间部分的中间部分厚度。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及晶体管结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在集成电路的制造中，源极/漏极接触插塞用于连接晶体管的源极/漏极区和栅极。源极/漏极接触插塞通常连接到源极/漏极硅化物区，源极/漏极硅化物区的形成过程包括在层间电介质中形成接触开口，沉积延伸到接触开口中的金属层，然后进行退火以使金属层与源极/漏极区的硅/锗反应。然后在剩余的接触开口中形成源极/漏极接触插塞。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例的一个方面，提供了一种形成晶体管结构的方法，包括：在半导体区上形成栅极堆叠件；形成源极/漏极区，其中，栅极堆叠件与源极/漏极区彼此相邻；在源极/漏极区上方形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；执行第一蚀刻工艺以蚀刻层间电介质和接触蚀刻停止层以形成接触开口，其中，源极/漏极区暴露于接触开口；在形成接触开口之后，执行第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺之后，层间电介质的面向接触开口的侧壁比第二蚀刻工艺之前更倾斜；沉积延伸到接触开口中的隔离层；刻蚀隔离层以去除位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成晶体管结构的方法，包括：在半导体区上形成栅极堆叠件；形成源极/漏极区，其中，所述栅极堆叠件与所述源极/漏极区彼此相邻；在所述源极/漏极区上方形成接触蚀刻停止层；在所述接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；执行第一蚀刻工艺以蚀刻所述层间电介质和所述接触蚀刻停止层以形成接触开口，其中，所述源极/漏极区暴露于所述接触开口；在形成所述接触开口之后，执行第二蚀刻工艺，其中，在所述第二蚀刻工艺之后，所述层间电介质的面向所述接触开口的侧壁比所述第二蚀刻工艺之前更倾斜；沉积延伸到所述接触开口中的隔离层；刻蚀所述隔离层以去除位于所述源极/漏极区上的所述隔离层的部分；在所述源极/漏极区上形成硅化物区；以及用源极/漏极接触插塞填充所述接触开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离层被沉积为具有比上部部分更薄的下部部分。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺包括各向异性蚀刻工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接触开口的俯视图中，所述接触开口是细长的，并且所述隔离层包括位于所述接触开口的端部处的端部部分以及位于所述接触开口的相对端部之间的中间部分，并且其中，所述端部部分比所述中间部分更厚。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻效应。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺还包括各向异性蚀刻效应。7.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李资良，郑柏贤，施伯铮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：