形成半导体结构的方法技术

方法包括在基底结构中形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽具有第一纵横比，并且第二沟槽具有低于第一纵横比的第二纵横比。然而执行沉积工艺以沉积层。该层包括延伸到第一沟槽中的第一部分以及延伸到第二沟槽中的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有比第一厚度大第一差值的第二厚度。方法还包括执行回蚀刻工艺以蚀刻该层。在回蚀刻工艺之后，第一部分具有第三厚度，并且第二部分具有第四厚度。第三厚度和第四厚度之间的第二差值小于第一差值。差值。差值。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及形成半导体结构的方法。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体(MOS)器件是集成电路中的基本构建元件。现有的MOS器件通常具有由多晶硅形成的栅电极，该多晶硅使用诸如离子注入或热扩散的掺杂操作而掺杂有p型或n型掺杂物。栅电极的功函数可以根据硅的带边进行调整。对于n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，可以将功函数调整为接近硅的导带。对于P型金属氧化物半导体(PMOS)器件，可以将功函数调整为接近硅的价带。通过选择合适的掺杂物可以实现对多晶硅栅电极的功函数的调整。
[0003]具有多晶硅栅电极的MOS器件表现出载流子耗尽效应，也称为多晶硅耗尽效应。当施加的电场从靠近栅极电介质的栅极区域清除载流子时，会发生多晶硅耗尽效应，从而形成耗尽层。在n掺杂的多晶硅层中，耗尽层包括离子化的非移动施主位点，其中在p掺杂的多晶硅层中，耗尽层包括离子化的非移动受主位点。耗尽效应导致有效的栅极电介质厚度增加，使得在半导体的表面更难创建反型层。
[0004]可以通过形成金属栅电极来解决多晶硅耗尽问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在基底结构中形成第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽具有第一纵横比，并且所述第二沟槽具有低于所述第一纵横比的第二纵横比；执行沉积工艺以沉积层，包括：延伸到所述第一沟槽中的第一部分，其中，所述第一部分具有第一厚度；以及延伸到所述第二沟槽中的第二部分，其中，所述第二部分具有比所述第一厚度大第一差值的第二厚度；以及执行回蚀刻工艺以蚀刻所述层，其中，在所述回蚀刻工艺之后，所述第一部分具有第三厚度，并且所述第二部分具有第四厚度，并且其中，所述第三厚度与所述第四厚度之间的第二差值小于所述第一差值。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述层的所述第一部分和所述第二部分上方形成附加部件，其中，在形成所述附加部件时，所述第四厚度等于所述第三厚度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过原子层蚀刻工艺来执行所述回蚀刻工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层包括高k介电层，并且所述回蚀刻工艺包括氟化循环然后是配体交换循环。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述层包括氧化铪，并且通过使用SF4和TiCl4作为工艺气体的原子层蚀刻来执行所述回蚀刻工艺。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成所述基底结构包括：在第一半导体区域和第二半导体区域上分别形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；在所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件的相对侧上形成第一栅极间隔件和第二栅极间隔件；以及去除所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦甫，林揆伦，李达元，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：