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方法包括在基底结构中形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽具有第一纵横比，并且第二沟槽具有低于第一纵横比的第二纵横比。然而执行沉积工艺以沉积层。该层包括延伸到第一沟槽中的第一部分以及延伸到第二沟槽中的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有比...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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