半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。在第一区中的基底上形成第一介电层。在第二区中的基底上形成第二介电层。在第一介电层上形成第一栅极。在第二介电层上形成第二栅极。在第一栅极的侧壁上形成第一间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁。形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层覆盖第一间隙壁且暴露出第二间隙壁。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除第二间隙壁。在移除第二间隙壁之后，移除图案化光致抗蚀剂层。在第一间隙壁的侧壁上形成第三间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制作工艺技术的进步，半导体产业持续不断地缩小半导体元件的尺寸。因此，在同时具有低压元件与高压元件的半导体结构中，在不同半导体元件之间的间隙壁工程将面临挑战。举例来说，当低压元件与高压元件同时具有较小尺寸的间隙壁时，会导致高压元件具有较高的漏电流，进而降低高压元件的电性表现。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，其可有效提升不同元件区中的半导体元件的电性表现。
[0004]本专利技术提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。在第一区中的基底上形成第一介电层。在第二区中的基底上形成第二介电层。在第一区中的第一介电层上形成第一栅极。在第二区中的第二介电层上形成第二栅极。在第一栅极的侧壁上形成第一间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁。在第一区中形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层覆盖第一间隙壁且暴露出第二间隙壁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，其中所述基底包括第一区与第二区；在所述第一区中的所述基底上形成第一介电层；在所述第二区中的所述基底上形成第二介电层；在所述第一区中的所述第一介电层上形成第一栅极；在所述第二区中的所述第二介电层上形成第二栅极；在所述第一栅极的侧壁上形成第一间隙壁，且同时在所述第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁；在所述第一区中形成图案化光致抗蚀剂层，其中所述图案化光致抗蚀剂层覆盖所述第一间隙壁且暴露出所述第二间隙壁；利用所述图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除所述第二间隙壁；在移除所述第二间隙壁之后，移除所述图案化光致抗蚀剂层；以及在所述第一间隙壁的侧壁上形成第三间隙壁，且同时在所述第二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中同时形成所述第一间隙壁与所述第二间隙壁的方法包括：在所述第一栅极与所述第二栅极上共形地形成间隙壁材料层；以及对所述间隙壁材料层进行蚀刻制作工艺。3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其中所述蚀刻制作工艺包括干式蚀刻制作工艺。4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述第二间隙壁的移除方法包括湿式蚀刻法、干式蚀刻法或其组合。5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中同时形成所述第三间隙壁与所述第四间隙壁...

【专利技术属性】
技术研发人员：许茗舜，黄韦清，陈文吉，陈辉煌，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：