【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
[0002]随着半导体工艺技术的不断发展，鳍式场效应晶体管(Fin FET)以其优越的性能，即能够改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长，广泛应用在半导体制造领域中。
[0003]鳍部结构作为鳍式场效应晶体管中的重要结构，对鳍式场效应晶体管的性能产生重大影响。随着技术节点的进一步降低，需要在同一芯片上形成不同尺寸间距的鳍部结构，以满足器件的需求。
[0004]然而，现有的形成不同尺寸间距的鳍部结构的工艺还有待改善。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善形成不同尺寸间距的鳍部结构的工艺。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成若干分立的第一核心层，若干所述第一核心层沿第一方向排列，所述第一方向平行于衬底表面；在第二区上...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成若干分立的第一核心层，若干所述第一核心层沿第一方向排列，所述第一方向平行于衬底表面；在第二区上形成若干分立的第二核心层，若干所述第二核心层沿第一方向排列，相邻第二核心层的第二尺寸大于相邻第一核心层的第一尺寸，所述第一尺寸包括第一核心层沿第一方向上的尺寸以及相邻第一核心层之间的间距，所述第二尺寸包括第二核心层沿第一方向上的尺寸以及相邻第二核心层之间的间距；在第一核心层侧壁表面和顶部表面、以及第二核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第一核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层，在第一核心层侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙在第一方向上具有第一尺寸；采用第二刻蚀工艺刻蚀所述第二核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层，在第二核心层侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙在第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；以所述第一侧墙和第二侧墙刻蚀所述待刻蚀层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括各向异性干法刻蚀工艺。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括多次循环的刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：对所述第二核心层顶部表面的侧墙材料层进行钝化处理，在侧墙材料层顶部表面形成钝化层；形成钝化层之后，对所述钝化层底部、第二核心层顶部表面的侧墙材料层进行改性处理，在侧墙材料层顶部表面形成改性层；去除所述改性层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第一部分位于所述第二核心层侧壁，所述第二部分的底部平面与第二核心层的顶部平面齐平，所述第二部分包括第一区和位于第一区两侧的第二区，所述第一区位于第二核心层表面，所述第二区与第一部分相接，且所述第二区在第一方向上的尺寸沿第二方向逐渐增大，所述第二方向垂直于待刻蚀层表面；所述钝化层位于第二部分顶部表面。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区顶部表面的钝化层厚度大于所述第一区顶部表面的钝化层厚度。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述钝化层底部的侧墙材料层进行改性处理的工艺包括氢化处理；所述氢化处理的工艺参数包括：气体为氢气、氨气和甲烷的混合气体；偏置功率为100瓦～300瓦。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区顶部表面的改性层厚度小于所述第一区顶部表面的改性层厚度。8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述改性层的工艺包括干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：气体包括氢气、甲烷、氨气、三氟化氮和四氟化碳的混合气体；压强为300毫托～600毫托；离子源功率为500瓦～1500瓦。
9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料包括氧化硅。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述侧墙材料层顶部表面进行钝化处理的工艺包括氮化处理工艺；所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑二虎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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