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一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成沿平行于衬底表面的第一方向分立的若干第一核心层；在第二区上形成沿平行于衬底表面的第二方向分立的若干第二核心层相邻第二核心层的第二尺寸大于相邻第一核心层的...
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