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本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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