半导体结构制造技术

一种半导体结构，包括：一基板；一密封环区域，绕着基板上方的一电路区域，其中密封环区域包括一密封区域以及一过渡区域，且其中过渡区域设置在密封区域与电路区域之间；以及多个金属层的一堆叠，设置在电路区域、过渡区域及密封区域上方。上述堆叠的金属层中的一金属层包括：多个金属密封环，设置在密封区域中，包括沿着一第一方向的一第一分区以及沿着一第二方向的一第二分区，其中第二方向实质上垂直于第一方向；以及多个金属过渡线，沿着第一分区及第二分区设置在过渡区域中，其中金属过渡线纵向地沿着第一方向定向。纵向地沿着第一方向定向。纵向地沿着第一方向定向。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本公开实施例涉及一种半导体结构，特别涉及一种密封环结构。

技术介绍

[0002]在半导体技术中，通过各种制造步骤处理半导体晶圆以形成集成电路(integrated circuits，IC)。通常，在同一半导体晶圆上形成多个电路或集成电路晶粒。然后切割晶圆以切出形成在其上的电路。为了保护电路免受湿气降解、离子污染和切割工艺的影响，每个集成电路晶粒周围都形成了一个密封环。此密封环是在制造包含电路的许多层的期间形成的，上述电路包括生产线前端(front
‑
end
‑
of
‑
line，FEOL)处理、生产线中端(middle
‑
end
‑
of
‑
line，MEOL)结构和生产线后端(back
‑
end
‑
of
‑
line，BEOL)处理。生产线前端及生产线中端包括在半导体基板上形成晶体管、电容器、二极管及/或电阻器。生产线后端包括形成金属层互连件和贯孔，为生产线前端的构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于包括：一基板；一密封环区域，绕着该基板上方的一电路区域，其中该密封环区域包括一密封区域以及一过渡区域，且其中该过渡区域设置在该密封区域与该电路区域之间；以及多个金属层的一堆叠，设置在该电路区域、该过渡区域及该密封区域上方，其中该些堆叠的金属层中的一金属层包括：多个金属密封环，设置在该密封区域中，包括沿着一第一方向的一第一分区以及沿着一第二方向的一第二分区，其中该第二方向实质上垂直于该第一方向；以及多个金属过渡线，沿着该第一分区及该第二分区设置在该过渡区域中，其中该些金属过渡线纵向地沿着该第一方向定向。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该过渡区域形成围绕该电路区域的一环形，且其中该环形实质上平行于该些金属密封环延伸。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该金属层还包括多个金属线，设置在该电路区域中，且其中该些金属过渡线的图案密度小于该些金属线的图案密度且大于该些金属密封环的图案密度。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿着该第二分区的该些金属过渡线具有靠近该第二分区的多个第一端部以及远离该第二分区的多个第二端部，其中该些第一端部实质上沿着一直线设置。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该金属层还包括多个金属线，设置在该电路区域中，且其中该些金属过渡线的厚度大于该些金属线的厚度且小于该些金属密封环的厚度。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该金属层还包括多个第一金属棒，连接该些金属密封环。7.一种半导体结构，其特征在于包括：一半导体基板；以及一水平导...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖彦良，陈春宇，王彦森，林忠亿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：