一种半导体装置，包括沿着一第一水平方向延伸的一有源区。一源极/漏极部件设置在前述的有源区的上方。一源极/漏极接触件设置在前述的源极/漏极部件的上方。一栅极结构设置在前述的有源区的上方，其中前述的栅极结构沿着一第二水平方向延伸，第二水平方...

提供集成电路芯片。本文的集成电路芯片包含位于装置区的外侧角落与环状区的内侧角落之间的角落区。环状区包含沿第一方向延伸的第一主动区、部分设置于第一主动区上方且沿第一方向延伸的第一源极/漏极接点以及完全设置于第一主动区上方且各沿第一方向纵向...

提供一种集成电路芯片以及密封环结构。根据本公开的集成电路芯片包括互连结构，互连结构包括沿着第一方向延伸的第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线以及第五金属线，第一组横向连接器设置在第二金属线以及第三金属线之间或第四金属线以及第五...

本公开提供一种熔丝结构。熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上；绝缘体，...

本案的一实施例提供了级联锁相回路的电路以及产生信号的方法。第一锁相回路接收具有第一频率的参考时钟信号并产生与参考时钟信号相位对准的高频时钟信号。第一分频器将高频时钟信号分频以产生中频时钟信号，第二分频器将中频时钟信号分频以产生低频参考时...

提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括导线基板。芯片封装结构包括位于导线基板上的中介基板。中介基板包括重分布结构、介电层、导电导孔，以及多个第一虚设导孔，介电层位于重分布结构上，导电导孔及这些第一虚设导孔穿过介电层，第一虚设导孔环绕导电...

本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括输入端、电平转换器、输出端和开关模块。输入端被配置为接收第一电压域中的输入信号。电平转换器连接到输入端并且被配置为将输入信号从第一电压域转换到第二电压域。开关模块被配置为将输入端和电平转换器中的一...

一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在一基板上设置一接触特征件；在所述基板上形成一介电层；蚀刻所述介电层以形成露出所述接触特征件的一互连通道；在所述介电层上及所述接触特征件以外区域上形成一金属层；以及在所述金属层上形成一石墨烯导电结构...

一种半导体结构，包含其上具有导电结构的基板、第一介电层、导电特征件和第二介电层。所述第一介电层设置在所述基板上。所述导电特征件形成于所述第一介电层中，且电连接至所述导电结构。所述第二介电层形成于所述第一介电层上且邻近所述导电特征件设置。...

一种半导体结构，包括基板、介电层、第一导电特征件和第二导电特征件。该基板包括半导体器件。该介电层设置于该基板上。该第一导电特征件形成于该介电层中。该第二导电特征件穿透该第一导电特征件与该介电层，且电连接至该第一导电特征件与该半导体器件。...

本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口...

一种用于制造半导体结构的方法，其包含形成多个彼此分隔开的虚设结构；形成多个介电间隔件，所述介电间隔件侧向覆盖所述虚设结构，以形成多个由所述介电间隔件所界定出的沟槽；将导电材料填入所述沟槽，以形成导电特征件；于所述导电特征件上选择性沉积罩...

本文揭示一种半导体结构，包括一基板、一介电层及一石墨烯导电结构。所述介电层设置于该基板上，且具有垂直于所述基板的一内侧面。所述石墨烯导电结构形成于所述介电层中并且具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一平行所述介电层的内侧面的方向延伸。述介...

一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺...

一种用于制造半导体结构的方法，包括于介电结构中形成沟槽；在由所述沟槽所暴露的所述介电结构的侧表面上形成间隔层；在形成所述间隔层之后，在所述沟槽中形成第一导电特征件；移除所述介电结构的至少部分以形成凹槽；在所述凹槽中及所述第一导电特征件之...

一种用于制造一半导体结构的方法，包括于一介电结构中形成沟槽，其个别由所述介电结构的侧表面界定；在所述侧表面上形成间隔层；将一导电材料填入所述沟槽中以形成导电特征件；将一阻挡层选择性地沉积于所述介电结构上；将一电介质材料选择性地沉积在所述...

本实用新型实施例涉及半导体结构。一种半导体结构包含：第一电介质层；导电层及栅极电极，其放置于所述第一电介质层中；铁电层，其放置于所述栅极电极上方；沟道层，其放置于所述铁电层上方；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方；源极电极及漏极电...

本申请涉及一种晶圆搬运装置包括：气缸组件和盖体组件。气缸组件包括缸体和沿纵向活动连接于缸体的升降杆。盖体组件套设在气缸组件，且连接于升降杆，在气缸组件作业模式下与升降杆随动且自始至少能够盖合至升降杆和缸体的连接部位周侧设置。本申请实施例...

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述方法包括在衬底上方形成底部电极层。在所述底部电极层上方形成磁隧道结(MTJ)层。在所述MTJ层上方形成顶部电极层。图案化所述顶部电极层。在图案化所述顶部电极层之后，在所述MTJ层和所述底部电极...

本发明实施例的半导体封装件包含电路板结构、第一重布线层结构、第二重布线层结构、第一包封体、封装结构、总线管芯以及导电柱。电路板结构包含核心层、第一叠层以及第二叠层。第一重布线层结构在电路板结构上方，第一重布线层结构包括第一介电层。第二重...