提供半导体装置结构的形成方法。方法包括提供芯片结构，其包括基板与布线结构位于基板的第一表面上。方法包括移除布线结构与孔洞相邻的第一部分，以加宽布线结构中的孔洞的第二部分。第二部分在远离基板的第一方向中的第一宽度逐渐增加。方法包括形成第一...

本公开提供一种芯片结构及形成芯片结构的方法。芯片结构包括基板。芯片结构包括第一导线，位于基板上方。前述芯片结构包括绝缘层，位于基板和第一导线上方。前述芯片结构包括导电柱，位于绝缘层上方。导电柱为一体成型，导电柱具有下表面、突出连接部和突...

提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构而接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括电路基板上方的加强结构。加强结构部分地围绕芯片封装的转角。封装结构还包括围绕接合结构的底部填充结构。底部填充结构与加强结构直接接...

本公开实施例提出一种芯片结构及其形成方法。芯片结构包含基底，芯片结构包含基底上方的第一导线，芯片结构包含基底和第一导线上方的绝缘层。芯片结构包含绝缘层上方的导电柱。导电柱一体成型，导电柱具有下表面及自下表面凸出的底部凸出部，底部凸出部穿...

本发明实施例提供一种半导体装置。其导电结构的高度减少且宽度增加。具体而言，牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层用于形成电阻减少的导电结构。在形成导电结构之后，移除牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层，并置换成低介电常数的材料以减...

一种内连线结构，包括第一导电特征、具有第一顶面且设置在第一导电特征上的第一衬垫、邻近第一导电特征设置的第二导电特征以及设置在第二导电特征的至少一部分上的第二衬垫。第二衬垫具有第二顶面，且第一衬垫和第二衬垫各自包括二维材料。此内连线结构还...

一种探针头结构，包括软性基板，具有顶面和底面。探针头结构包括第一探针柱，穿过基板。第一探针柱具有从底面凸出的第一突出部分。探针头结构包括重分布结构，位于基板的顶面和第一探针柱上，重分布结构与基板和第一探针柱直接接触。重分布结构包括位于介...

本公开提出一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括贴附到电路基板的翘曲控制构件。翘曲控制构件具有延伸到电路基板中的凸出部分。翘曲控制构件的高度大于芯片封装的高度。于芯片封装的高...

本公开提出一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一封装元件和第二封装元件，第二封装元件包括基底，且电子元件设置于基底上。第一封装元件安装于基底上。封装结构还包括环状结构，设置于第二封装元件上且在第一封装元件周围。环状结构具有第一接脚和...

一种半导体装置结构，包括第一栅极层；第二栅极层位于第一栅极层上并对准第一栅极层；以及栅极隔离结构位于第一栅极层与第二栅极层之间。栅极隔离结构包括相对的第一表面与第二表面。第一表面的至少一部分接触第一栅极层。第二表面包括不同的第一材料与第...

一种半导体装置结构，包括第一介电结构与第二介电结构，以及半导体层位于第一介电结构与第二介电结构之间。结构还包括隔离层位于第一介电结构与第二介电结构之间，且隔离层接触第一介电结构与第二介电结构。第一半导体层位于隔离层上。结构还包括栅极介电...

提供了一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括布线基板。芯片封装结构包括第一芯片结构，位于布线基板上。芯片封装结构包括一散热盖，位于布线基板上并覆盖第一芯片结构。散热盖包括环形结构和顶板。环状结构围绕第一芯片结构。顶板覆盖环状结构...

一种半导体装置结构，包含多个半导体层，并具有第一组半导体层、设置于第一组半导体层上且与之对准的第二组半导体层、设置于第二组半导体层上且与之对准的第三组半导体层。所述结构还包含第一源极/漏极外延部件，其与第一组半导体层的第一数量的半导体层...

一种互连结构，包含介电层；第一导电部件，设置于介电层之中；盖层，具有第一部分、与第一部分相对的第二部分、以及连接第一部分与第二部分的第三部分，其中所述第三部分与介电层接触。所述结构亦包含支撑层，其与盖层的第一及第二部分接触；第一导电层，...

提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括互连结构，在半导体基底的上方。半导体装置结构包括导体柱，在互连结构的上方。导体柱具有突出部，其向半导体基底延伸。半导体装置结构包括上导体导孔，在导体柱与互连结构之间。以第一距离横向分离上...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板、形成在基板上方的第一鳍片结构及第二鳍片结构、以及位于第一鳍片结构及第二鳍片结构之间的隔离结构。隔离结构可包括下部及上部。隔离结构的下部可包括无金属介电材料。隔离结构的上部可包括金属元素及硅...

本公开描述了一种半导体结构。半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源/漏极...

提供封装结构与其形成方法。方法包括形成凹陷于电路基板中，且凹陷具有第一侧壁与第二侧壁。第二侧壁在第一侧壁与电路基板的最底部表面之间，且第二侧壁比第一侧壁陡峭。方法亦包括形成晶粒封装，且晶粒封装具有半导体晶粒。方法更包括经由多个接合结构接...

本公开提出一种半导体装置结构。结构包括介电结构，其包括第一介电层与第二介电层。第一介电层具有相对的第一侧壁与第二侧壁，且第二介电层接触第一侧壁的至少一部分与第二侧壁的至少一部分。结构亦包括第一半导体层与第一侧壁相邻，其中第一半导体层接触...

在基底的前侧上方形成多个第一半导体层及多个第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层在垂直方向交错。蚀刻第一半导体层及第二半导体层为堆叠物，进行蚀刻使得最底部第一半导体层在剖面示意图中具有渐缩轮廓。以介电层取代最底部第一半导体层，介电层承...