提供了一种封装结构及其形成方法。方法包括在一基板之上设置一芯片结构。芯片结构具有一倾斜侧壁，倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，垂直方向为垂直于芯片结构主表面的方向，且锐角介于约12度至约45度之间。方法更包括形成一保护层以围绕芯片结构。保护...

一种有机中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介...

一种半导体装置检查方法，包括：在基底上方沉积介电材料以形成内连线级介电层；将内连线级介电层图案化以在内连线级介电层中形成多个通孔结构；在内连线级介电层上和通孔结构中形成检查层；对检查层成像以产生图像数据；以及通过分析图像数据来判定通孔结...

本公开提出一种半导体结构。涉及用于在纳米结构晶体管中的源极/漏极(S/D)外延结构及金属栅极结构之间制造间隔物结构的方法。方法包括在基板上形成具有交替的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构。方法也包括蚀刻鳍片结构中的第一纳米结构元件的边缘部...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有与后侧表面相对的前侧表面的装置层。第一散热层沿着装置层的后侧表面设置。第二散热层位于装置层的前侧表面下方。第二散热层的热导率低于第一散热层的热导率。导率低于第一散热层的热导率。导率低于第一散热...

本公开是有关于一种集成芯片，包括底部电极，设置于介电层之中。存储器元件直接位于底部电极上方，且被设置于介电层之中。顶部电极直接位于存储器元件上方，且被设置于介电层之中。导电通孔直接位于顶部电极上方。沿着顶部电极的两侧侧壁延伸的成对线段直...

本公开的一些实施例涉及一种集成芯片，包括半导体基板及位于其上的介电层。一对金属线设置于介电层上，且彼此被一空腔横向隔开。阻障层结构沿着此对金属线最相邻的多个内侧壁延伸，使上述空腔由阻障层结构的多个内侧壁及介电层的顶表面所定义。介电层的顶...

在一些实施例中，本公开涉及一种装置，包括：设置在基板上方的主动层、栅极电极、钝化结构、源极接触件、及漏极接触件。栅极电极设置在基板上方并且通过栅极介电层与主动层间隔开。钝化结构设置在主动层上方。源极接触件延伸穿过钝化结构并接触主动层。漏...

在一些实施例中，本公开是关于一种存储器装置，包括设置于基板上的多个栅极电极层。第一存储器单元设置于基板上，且包括延伸穿过多个栅极电极层的第一及第二源极/漏极导线。阻障结构设置于第一与第二源极/漏极导线间。通道层设置于第一与第二源极/漏极...

本发明实施例涉及多芯片元件以及形成方法。一种多芯片元件包含在衬底内的第一材料。所述第一材料具有第一热膨胀系数，所述第一热膨胀系数与所述衬底的第二热膨胀系数不同。第一芯片位于所述第一材料的第一部分以及所述衬底的第一部分之上。第二芯片位于所...

本发明实施例涉及集成电路、存储器装置及其制造方法。本公开实施例涉及一种存储器单元、一种集成电路及其制造方法。所述存储器装置包含衬底、栅极层及绝缘层、隔离柱、通道层、第一导电构件、第二导电构件、存储层，及一对隔离结构。所述隔离柱沿着第一方...

本发明实施例涉及制备光掩模数据及制造光掩模的方法。在一种制造用于半导体装置制造的集成电路的光刻掩模的方法中，对所述集成电路的布局图案执行光学近接校正OPC工艺以产生经校正布局图案。还对所述经校正布局图案执行逆光刻技术ILT工艺以增强所述...

本揭露涉及风口扩散器。半导体制作设施的腔室可包含风口扩散器。所述风口扩散器可包含第一管部件，其经配置以将所述风口扩散器耦合到所述腔室的风口。所述风口扩散器可包含第二管部件，其耦合到所述第一管部件。所述第二管部件可包括沿着所述第二管部件的...

本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分在第一方向上延伸，且所述第二部分及所述第三部分在第二方向上延伸。所述...

本发明实施例涉及半导体图像传感器及其形成方法。一种半导体图像传感器包含：第一衬底，其包含第一前侧及第一背侧；第二衬底，其包含第二前侧及第二背侧；第三衬底，其包含第三前侧及第三背侧；第一互连结构；及第二互连结构。所述第一衬底包含一层及在所...

本发明实施例涉及用于直接半导体接合的异质接合层的装置及其方法。根据本发明的一些实施例，可使用异质接合层直接接合第一半导体装置与第二半导体装置。可在所述第一半导体装置上形成第一接合层，且可在所述第二半导体装置上形成第二接合层。所述第一接合...

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底、至少一个电介质层及电容器结构。所述至少一个电介质层经放置于所述衬底上方，且所述至少一个电介质层包含步阶边缘轮廓。所述电容器结构经放置于所述衬底上方。...

本发明实施例涉及静电测量系统与静电测量方法。本公开实施例提供一种测量系统。所述测量系统包含绝缘管、电容器及静电计。所述绝缘管经配置以允许流体流动通过其中。所述电容器放置于所述绝缘管的区段的表面上。所述电容器包含第一金属层、与所述第一金属...

本发明实施例涉及退火设备及其操作方法。本发明实施例涉及一种方法，其包含：将晶片输送到设备，所述设备包含：第一腔室，其经配置以接收所述晶片及第一气体；第二腔室，其围绕所述第一腔室且经配置以接收第二气体；多个进气口，其在所述第二腔室的腔室壁...

本发明实施例涉及晶片运输容器及其操作方法。一种晶片运输载具包含用于提供改进空气密封以减少空气泄漏到所述晶片运输载具中的各种组件。所述晶片运输载具可包含外壳，其具有：中空壳，其含有真空或惰性气体以最小化及/或防止湿气及氧气进入到所述晶片运...