本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管...

本发明实施例提出一种半导体装置，半导体装置具有厚度实质上一致的无晶面外延结构。半导体装置包括鳍状结构位于基板上。鳍状结构包括鳍状物底部与鳍状物顶部。鳍状物底部的上表面比鳍状物顶部的下表面宽。半导体装置还包括介电层位于鳍状物顶部上；非晶层...

一种半导体装置，包括第一类型的第一晶体管装置，其包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及在第一纳米结构上的第一栅极电极；形成在第一晶体管装置上方的第二类型的第二晶体管装置，其包括在第一纳米结构上方的第二纳米结构、在第一对源极/漏极结构上...

本公开提供一种互连结构。在一些实施例中，上述结构包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中，其中一或多个第一导电部件包括第一金属；以及多个石墨烯层，设置在每个所述第一导电部件上，其中石墨烯层包括插入其中的第二金属，且第二...

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置具有前侧至背侧的电路径以穿过源极/漏极结构。在一些实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过标准单元中的源极/漏极结构。在其他实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过填充单元中的源极/漏极结构。前侧至背侧的导...

本公开描述了一种用于形成互连结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成导电层，移除导电层的部分以形成从底部向上延伸的导孔部分，在导孔部分和底部上方形成牺牲层，使牺牲层凹蚀至一水平，其大抵等于或低于底部的顶表面的水平，在导孔部分、底部和牺...

本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在一些实施方式中，一或多个半导体加工工具可在半导体装置的基底内形成通孔。前述一或多个半导体加工工具可在通孔内沉积基于钌的衬垫。前述一或多个半导体加工工具可在沉积基于钌的衬垫之后，在通孔内沉积铜插塞。在...

本公开描述了半导体装置的形成方法，包含形成具有堆叠鳍片部分的鳍片结构于基板上。堆叠鳍片部分包含第一半导体层及第二半导体层，其中第二半导体层包含锗。半导体装置的形成方法更包含蚀刻鳍片结构以形成开口并通过开口以含氟气体蚀刻第二半导体层的一部...

提供一种半导体装置封装体及其形成方法。半导体装置封装体包括一基底、一半导体装置、一环型结构、一罩盖结构以及一粘着部件。半导体装置设置于基底上。环型结构设置于基底上，并环绕半导体装置。罩盖结构设置于环型结构上，并延伸跨越半导体装置。粘着部...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有含碳的第一储存层的第一晶片、具有含碳的第二储存层的第二晶片以及介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触的结合层。触的结合层。触的结合层。

本公开提供一种处理设备。处理设备包括一载台以及设置在载台上的一底板。处理设备还包括一压力膜感测器，形成在底板上，配置用于检测一探针卡的一探针头上的多个针与压力膜感测器之间的接触力。设备还包括一距离检测器，配置用于检测压力膜感测器与所述针...

本公开说明了一种半导体结构。半导体结构可包括一基底，位于基底上的一栅极结构，位于栅极结构上的一介电材料层，穿过栅极结构形成并与之相邻的一源极/漏极(S/D)接触层，以及位于源极/漏极(S/D)接触层上并与之接触的一沟槽导电层。源极/漏极...

本公开提供双极性接面晶体管结构及其制造方法。双极性接面晶体管结构包括一半导体基底、一集极区、一基极区、一射极区、一环状浅沟槽隔离区以及一基极介电层。集极区形成在半导体基底。基极区形成在集极区之上。射极区形成在基极区之上。环状浅沟槽隔离区...

本发明的实施例包含用以执行存储器系统的错误检查的方法及装置。本发明的实施例包含：从存储器的列缓冲器存取数据，上述数据对应于存储器存取的行地址。在行地址上的列缓冲器具有存储器的启动单元的数据，上述数据对应于存储器存取的列地址。使用行地址判...

提供一种芯片结构。芯片结构包括基底。芯片结构包括于基底上的互连层。芯片结构包括于互连层上的导电垫。芯片结构包括于导电垫上的导电凸块。导电凸块具有第一部、第二部、以及位于第一部和第二部之间的颈部。第一部位于颈部和导电垫之间。颈部比第一部窄...

提供一种封装结构。封装结构包括位于基板上方的重分布结构、位于重分布结构上方并电耦接到基板的半导体晶粒、以及位于基板上方并密封重分布结构和半导体晶粒的底部填充材料。底部填充材料包括与半导体晶粒的角落重叠并延伸到基板中的延伸部分。伸到基板中...

一种用于测试集成电路封装的测试装置，包括印刷电路板，其具有第一表面、第二表面及位于第一与第二表面之间的多个导电层。金属层形成在第二表面上，并电连接至导电层中的接地的一个。测试座设置于第一表面之上。导电紧固件将测试座固定到印刷电路板，并电...

本公开描述一种半导体结构及其形成方法。方法可包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构可包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法可进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方的鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在...

本公开涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在通道结构上方形成栅极介电结构；在栅极介电结构上方形成金属栅极的一个或多个功函数金属层；以含氟材料处理一个或多个功函数金属层；进行一个或多个制程，使氟从含氟材料至少部分扩散至栅极介电结构中。少部...

一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括通过核心基板形成的多个第一通孔结构。所述结构也包括嵌入核心基板中且位于第一通孔结构之间的中介层。中介层包括通过中介层基板形成的多个第二通孔结构。所述结构也包括形成在核心基板之上的第一重分...