半导体结构制造技术

本公开说明了一种半导体结构。半导体结构可包括一基底，位于基底上的一栅极结构，位于栅极结构上的一介电材料层，穿过栅极结构形成并与之相邻的一源极/漏极(S/D)接触层，以及位于源极/漏极(S/D)接触层上并与之接触的一沟槽导电层。源极/漏极(S/D)接触层可包括铂族金属材料层及形成于基底与铂族金属材料层之间的一硅化层。铂族金属材料层顶部的一顶部宽度可大于或实质上等于铂族金属材料层底部的底部宽度。部宽度。部宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体技术，尤其涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体技术的进步增加了对具有更高的储存容量、更快的处理系统、更高的效能及更低的成本的半导体装置的需求。为了满足这些需求，半导体行业继续缩小半导体装置的尺寸。这种微缩化增加了半导体装置制造的复杂性。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，提供一种半导体结构，包括：一基底、位于基底上的一栅极结构、位于栅极结构上的一介电材料层、穿过且邻近栅极结构的一源极/漏极(S/D)接触层以及位于源极/漏极(S/D)接触层上并与之接触的一沟槽导电层。源极/漏极(S/D)接触层可以包括铂族金属材料层及形成于基底与铂族金属材料层之间的硅化层。铂族金属材料层的顶部的顶部宽度可以大于或实质上等于铂族金属材料层的底部的底部宽度。
[0004]在一些实施例中，提供一种半导体结构，包括：形成一源极/漏极(S/D)区于一基底上；形成一介电材料层于源极/漏极(S/D)区上；形成一凹槽结构于介电材料层内，以露出源极/漏极(S/D)区；以第一沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一基底；一栅极结构，位于该基底上；一介电材料层，位于该栅极结构上；一源极/漏极接触层，穿过且邻近该栅极结构，其中该源极/漏极接触层包括一铂族金属材料层及形成于该基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱家宏，梁顺鑫，张旭凯，陈姿蓓，林侃儒，张阡，黄鸿仪，王菘豊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：