半导体装置制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。表面接触的第二隔离结构。表面接触的第二隔离结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有栅极结构的堆叠的半导体装置。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能及更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断缩减半导体装置的尺寸，并引入了三维晶体管，例如全绕式(gate
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around,GAA)场效晶体管及鳍式场效晶体管(fin field effect transistors,finFETs)。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括：第一类型的第一晶体管装置，包括：第一多个纳米结构；第一对源极/漏极结构；及第一栅极结构，位于第一多个纳米结构上；第二类型的第二晶体管装置，形成在第一晶体管装置上方，第二晶体管装置，包括：第二多个纳米结构，位于第一多个纳米结构上方；第二对源极/漏极结构，位于第一对源极/漏极结构上方；及第二栅极结构，位于第二多个纳米结构上及第一多个纳米结构上方；第一隔离结构，接触第一多个纳米结构及第二多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一类型的一第一晶体管装置，包括：一第一多个纳米结构；一第一对源极/漏极结构；及一第一栅极结构，位于该第一多个纳米结构上；一第二类型的一第二晶体管装置，形成在该第一晶体管装置上方，该第二晶体管装置，包括：一第二多个纳米结构，位于该第一多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：姆鲁尼尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：