半导体结构制造技术

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有含碳的第一储存层的第一晶片、具有含碳的第二储存层的第二晶片以及介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触的结合层。触的结合层。触的结合层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本公开实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有插入于第一晶片和第二晶片之间的结合层的半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高的储存容量、更快的处理系统、更高性能及更低成本的需求不断地增加。为了满足这些需求，半导体产业不断地缩小半导体装置的尺寸，例如金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)，包括平面金属氧化物半导体场效晶体管和鳍式场效晶体管(fin field effect transistor；finFET)。这种尺寸缩小允许更多的半导体装置整合到给定区域，但是增加了半导体制造的工艺复杂度。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构，包括：第一晶片和第二晶片，第一晶片包括具有碳的第一储存层，第二晶片包括具有碳的第二储存层。半导体装置亦包括结合层，介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触。
[0004]本公开实施例提供一种半导体结构，包括：装置晶片和载体晶片。装置晶片包括具有碳的第一储存层和多个装置。载体晶片包括具有碳的第二储存层。半导体装置还包括位于装置晶片上的保护层，以保护多个装置。半导体装置亦包括介于第一储存层和第二储存层之间的结合层。
[0005]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：在第一晶片上形成第一储存层且在第二晶片上形成第二储存层；在第一储存层上形成第一结合层且在第二晶片上形成第二结合层；在等离子体中处理第一结合层和第二结合层；以及将第一储存层和第二储存层结合。第一储存层和第二储存层包括碳。
附图说明
[0006]根据以下的详细说明并配合所附附图以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，附图中的各种部件未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及附图中以相似的标号标示相似的特征。
[0007]图1A至图1C示出根据一些实施例的包括第一晶片结合至第二晶片的结合结构，其中具有储存层设置于第一晶片和第二晶片上。
[0008]图2A至图2E示出根据一些实施例的包括第一晶片结合至第二晶片的结合结构，其中具有储存层设置于第一晶片和第二晶片上。
[0009]图3示出根据一些实施例的结合第一晶片和第二晶片的方法的流程图。
[0010]图4至图7示出根据一些实施例的包括第一晶片结合至第二晶片的结合结构在其
制造过程的不同阶段，其中具有储存层设置于第一晶片和第二晶片上。
[0011]附图标记如下：
[0012]100A,100B,100C,200A,200B,200C,200D,200E:结合结构
[0013]101:基底
[0014]102,202:保护层
[0015]102t,202t:垂直尺寸
[0016]103:层间介电层
[0017]104
‑
1,104
‑
2,204
‑
1,204
‑
2:储存层
[0018]104
‑
1t,104
‑
2t,204
‑
1t,204
‑
2t:垂直尺寸
[0019]105:蚀刻停止层
[0020]108,208:结合层
[0021]108t,208t:垂直尺寸
[0022]110:源极/漏极外延结构
[0023]111:内连线层
[0024]112,212:半导体装置
[0025]114:栅极间隔物
[0026]115:栅极结构
[0027]116:内部间隔结构
[0028]118:鳍结构
[0029]120
‑
1,120
‑
2:半导体层
[0030]128:栅极接触结构
[0031]131:氧化物层
[0032]132:正面源极/漏极接触结构
[0033]136:背面源极/漏极接触结构
[0034]148:背面层间介电层
[0035]149:硅通孔
[0036]150:背面金属布线层
[0037]159:氧化物通孔
[0038]160:背面金属接触层
[0039]170:凸块接点
[0040]180,280:第一晶片
[0041]190,290:第二晶片
[0042]295:第三晶片
[0043]300:方法
[0044]310,320,330,340:操作
[0045]508
‑
1,508
‑
2:结合层
[0046]508
‑
1t,508
‑
2t:垂直尺寸
[0047]608
‑
1,608
‑
2:中间层
[0048]608
‑
1t,608
‑
2t:垂直尺寸
[0049]616:等离子体
具体实施方式
[0050]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开实施例的不同部件。以下叙述构件及配置的特定范例，以简化本公开实施例的说明。当然，这些特定的范例仅为示范并非用以限定本公开实施例。举例而言，在以下的叙述中提及第一部件形成于第二部件上或上方，即表示其可包括第一部件与第二部件是直接接触的实施例，亦可包括有附加部件形成于第一部件与第二部件之间，而使第一部件与第二部件可能未直接接触的实施例。另外，除非另外说明，在所有公开内容中，不同附图中以相同的参考标号标示相同或相似的元件。此重复是为了简洁及清楚的目的，本身并不表示所述的不同实施例及/或配置之间具有任何关系。
[0051]此外，在此可使用与空间相关用词。例如“底下”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，以便于描述附图中示出的一个元件或部件与另一个(些)元件或部件之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包括使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，且在此使用的空间相关词也可依此做同样的解释。
[0052]应注意的是，在说明书中对“一实施例”、“一个实施例”、“一个范例实施例”、“示范性”等的用语表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括此特定特征、结构或特性。此外，这些用语不一定是指相同的实施例。此外，当结合实施例来描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确说明，本公开所属
中技术人员将可理解结合其他实施例来实现这样的特征、结构或特性。
[0053]应理解的是，本说明书中的用语或术语是为了描述而非作为限制的目的，使得本说明书的用语或术语应由本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一第一晶片，包括含碳的一第一储存层；一第二晶片，包括含碳的一第二储存层...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱德洋，颜甫庭，彭羽筠，林耕竹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：