本公开提出一种半导体装置的制造方法。此方法包含在多膜层堆叠中图案化鳍片的步骤，以及形成开口于鳍片中并穿至基板之中。自沿着开口的侧壁所露出的通道外延地成长第一半导体材料以形成第一源极/漏极结构。自第一半导体材料外延地成长第二半导体材料以形...

提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。半导体晶粒封装包括一封装基板、在封装基板上方的一中介层基板、在中介层基板上方的两个半导体晶粒、以及在中介层基板上方并围绕半导体晶粒的一底部填充元件。一环结构设置在封装基板上方并围绕半导体晶粒。多个凹陷...

一种半导体装置，包括通道构件的垂直堆叠物，置于基底的上方；栅极结构，包覆通道构件的垂直堆叠物的每个通道构件的周围；以及源极/漏极部件，置于基底的上方并耦接于通道构件的垂直堆叠物。源极/漏极部件是通过第一空气间隙与第一栅极介电层而与栅极结...

一种半导体装置，包括栅极结构。栅极结构包括栅极介电层，n型功函数层埋置于栅极介电层中，介电盖层埋置于n型功函数层中，以及p型功函数层埋置于介电盖层中。栅极结构的上表面露出n型功函数层的上表面、介电盖层的上表面、与p型功函数层的上表面。半...

半导体装置，包括：半导体鳍片，延伸于基板之上；栅极结构，设置于半导体鳍片上方，垂直延伸于半导体鳍片，包括：栅极介电层、功函数层、栅极电极、设置于栅极电极上方的栅极掩膜，其中在栅极电极的顶部处的栅极结构的宽度比在与半导体鳍片的上表面的交界...

在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布...

一种扇出封装，包括一重分布结构、多个半导体裸片以及一底部填充材料部分。半导体裸片包括通过焊料材料部分的各自一组而附接至重分布侧结合结构的各自一子集的裸片侧结合结构的各自一组。底部填充材料部分横向地环绕半导体裸片的重分布侧结合结构及半导体...

一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构...

一种集成电路包含电阻的第一及第二矩阵，以及多个接口电路。第一矩阵中的每个电阻电性耦接于多个第一或第二输入导线中的相应的第一输入导线，以及多个第一或第二输出导线中的相应的第一输出导线之间。第二矩阵中的每个电阻电性耦接于多个第二输入导线中的...

提供了一种半导体元件结构及其封装结构与形成方法。半导体元件结构包括半导体基板和在半导体基板上的内连线结构。半导体元件结构还包括在内连线结构上的第一导电柱。第一导电柱具有自第一导电柱的较低表面朝向半导体基板延伸的第一凸出部分。半导体元件结...

提供一种制造集成芯片的方法。方法包括：在基板上方形成晶体管结构。晶体管结构包括一对源极/漏极区以及栅极电极，栅极电极在一对源极/漏极区之间。在一对源极/漏极区上方以及在栅极电极周围形成下层间介电(ILD)层。在栅极电极上方形成栅极盖层。...

提供半导体装置的形成方法。所述半导体装置的形成方法包括执行第一蚀刻制程于基板的背侧，以暴露虚设接触结构。执行第一沉积制程，以沉积环绕虚设接触结构的氧化物层的第一部分。执行第二蚀刻制程，以至少部分地移除氧化物层的第一部分。形成环绕虚设接触...

本公开实施例提供一种互连结构。此结构包括一介电层、设置在介电层中的一第一导电特征、设置在第一导电特征之上的一第二导电特征、设置邻近于第二导电特征的一第三导电特征、设置在第二导电特征和第三导电特征之间的一第一介电材料、设置在第二导电特征和...

一种半导体装置，可包括封装基板与混合中介物。混合中介物可包括有机中介物材料层与非有机中介物材料层位于有机中介物材料层与封装基板之间。半导体装置可进一步包括集成装置位于混合中介物中。集成装置可位于有机中介材料层中。集成装置可位于非有机中介...

集成电路装置包括基板与位于第一栅极结构及该第二栅极结构之间的鳍片隔离结构。第一栅极结构包绕位于第一鳍片上方的第一垂直纳米结构通道堆叠。第二栅极结构包绕位于第二鳍片上方的第二垂直纳米结构通道堆叠。鳍片隔离结构从第一栅极结构的上表面延伸至基...

提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。半导体晶粒封装包括一封装基板及设置在封装基板上方的一半导体装置。一环结构设置在封装基板上方且横向地围绕半导体装置。环结构包括围绕封装基板的周边布置的一下环部。多个槽口沿着下环部的外周边形成。环结构还包...

本公开实施例提供一种封装结构，包括基板、覆盖元件、半导体装置、突出元件、以及黏接元件。覆盖元件设置在基板上，且覆盖元件具有环状部分，环状部分围绕空间，且在环状部分面朝基板的表面上有凹槽。半导体装置设置在基板上，且设置在环状部分所围绕的空...

本揭露实施例提供一种包括抗机械应力凸块结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括嵌入金属互连结构的介电材料层、连接垫和通孔结构、以及包括凸块通孔部分和接合凸块部分的凸块结构。凸块通孔部分的底表面的整体位于连接垫和通孔结构的垫部分的水平顶表面的区域...

提供一种芯片封装体结构及其形成方法。芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区...

提供一种半导体装置的通道结构，以及所述装置的制造方法。所述方法可包括：形成超晶格结构在鳍片结构上，所述超晶格结构含有多个第一纳米结构层及多个第二纳米结构层。所述方法亦可包括：移除所述第二纳米结构层，以形成多个栅极开口；在第一温度及第一压...