提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第...

本申请的实施例提供了存储器系统、存储器器件及其操作方法。存储器系统包括多个存储器单元、多个字线、多个位线和多个源极线。多个存储器单元被布置成行和列，多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极。多个字线中的每个具有对应行，每个字线耦接到对...

一种形成纳米结构场效应晶体管(nano

本申请的实施例提供了一种封装结构及其形成方法，该方法包括：形成多个介电层；形成包括多个金属层的密封环的下部，每个金属层延伸到多个介电层之一中；在多个介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层中形成开口；在开口中形成通孔环并物理接触密封环的下...

公开了形成导电部件的改进方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在第一介电层中提供第一导电部件；在第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层，抗蚀刻层的侧壁与第一介电层的侧壁共末端；在选择性沉积抗蚀刻层之后，在与抗蚀刻层相邻的第...

在实施例中，半导体器件包括：第一半导体部件的第一沟道区上的第一栅极电介质；第一栅极电介质上的第一栅电极；第二半导体部件的第二沟道区上的第二栅极电介质，第二栅极电介质具有比第一栅极电介质大的结晶度；以及第二栅电介质上的第二栅电极。本发明的...

提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一隔离结构、位于衬底上方并且延伸穿过第一隔离结构的第一鳍和第二鳍，以及延伸到第一隔离结构中并且插入在第一鳍和第二鳍之间的混合鳍。第一鳍的顶表面和第二鳍的顶表面在第一隔...

在制造半导体器件的方法中，形成源极/漏极外延层，在源极/漏极外延层上方形成一个或多个介电层，在一个或多个介电层中形成开口以暴露源极/漏极外延层，在暴露的源极/漏极外延层上形成第一硅化物层，在第一硅化物层上形成与第一硅化物层不同的第二硅化...

方法包括在基底结构中形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽具有第一纵横比，并且第二沟槽具有低于第一纵横比的第二纵横比。然而执行沉积工艺以沉积层。该层包括延伸到第一沟槽中的第一部分以及延伸到第二沟槽中的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具...

本揭示文件揭露一种集成电路及其形成方法，集成电路包含第一、第二以及第三电源轨，与耦接至闸控电路的首部开关电路。闸控电路用于操作第一或第二电压。第一、第二电源轨位于晶圆的背面，且沿着第一方向延伸。首部开关电路用于透过第一电源轨提供第一电压...

提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一...

本揭露揭示用于在一栅极结构上方选择性地沉积一金属层而形成的多种半导体装置。在一实施例中，一种半导体装置包括：一半导体基板上方的一通道区；该通道区上方的一栅极结构；相邻于该栅极结构的一栅极间隔物；相邻于该栅极间隔物的一第一介电层；一阻障层...

本发明实施例涉及用于光刻表面形貌测量的系统和方法。一种表面形貌测量的方法包含：提供工件至半导体设备，所述工件包括材料层，其中所述材料层包含沿着第一轴延伸的多个区域；沿着所述第一轴在第一方向上扫描所述工件以产生第一形貌测量数据；沿着所述第...

本发明提出一种集成电路设计的布局方法与计算机系统。每个连线被视为可移动软模块，当连线覆盖更多的壅塞区域时，此连线会收到更多惩罚。因此，可以更容易的把连线从壅塞的区域移开。此外，为了解决局部壅塞，本揭露提出了新的膨胀方法，借此根据一个群内...

一种半导体装置，包括基板，半导体装置还包括第一鳍状结构，位于基板的第一区上且包括第一组的多个第一通道层，而第一通道层各自具有第一厚度。装置还包括第二鳍状结构，位于基板的第二区上且包括第二组的多个第二通道层，第二通道层各自具有第二厚度，且...

本公开的各种实施例针对一种集成电路(IC)芯片，其中焊盘阻挡层覆盖压电器件的焊盘。焊盘阻挡层被配置为阻止氢离子和/或其他错误材料扩散到压电层。在没有焊盘阻挡层的情况下，在形成焊盘之后执行的含氢离子工艺中的氢离子可以沿着从焊盘延伸到压电器...

提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性...

一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的...

实施例利用桥接管芯，桥接管芯直接接合至两个或多个器件管芯并且桥接两个或多个器件管芯。每个器件管芯可以具有堆叠在其上的附加器件管芯。在一些实施例中，桥接管芯可以桥接设置在桥接管芯下方和上方的器件管芯。在一些实施例中，几个桥接管芯可以用于将...

公开半导体装置与其制作方法，其包括形成鳍状结构于基板上；形成第一与第二纳米结构层的超晶格结构于鳍状结构上；形成多晶硅结构于超晶格结构周围；形成源极/漏极开口于超晶格结构中；形成第一导电形态的源极/漏极区于源极/漏极开口的第一部分中；形成...