形成半导体器件的方法技术

公开了形成导电部件的改进方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括：在第一介电层中提供第一导电部件；在第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层，抗蚀刻层的侧壁与第一介电层的侧壁共末端；在选择性沉积抗蚀刻层之后，在与抗蚀刻层相邻的第一导电部件上方选择性沉积覆盖层，覆盖层的侧壁与第一导电部件的侧壁共末端；以及在覆盖层上方形成第二导电部件，抗蚀刻层将第二导电部件与第一介电层分隔开。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。器件的方法。器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法


[0001]本申请的实施例提供了形成半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在集成电路器件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一导电部件；在所述第一导电部件上方选择性沉积抑制剂材料；在与所述抑制剂材料相邻的所述第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层；去除所述抑制剂材料以形成暴露所述第一导电部件的第一开口；在所述第一导电部件上方选择性沉积覆盖层；在所述抗蚀刻层和所述覆盖层上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成第二介电层；蚀刻所述第二介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在集成电路器件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一导电部件；在所述第一导电部件上方选择性沉积抑制剂材料；在与所述抑制剂材料相邻的所述第一介电层上方选择性沉积抗蚀刻层；去除所述抑制剂材料以形成暴露所述第一导电部件的第一开口；在所述第一导电部件上方选择性沉积覆盖层；在所述抗蚀刻层和所述覆盖层上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成第二介电层；蚀刻所述第二介电层和所述蚀刻停止层以形成暴露所述覆盖层的第二开口；以及在所述第二开口中形成通过所述覆盖层电耦接至所述第一导电部件的第二导电部件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抑制剂材料包括有机聚合物，所述有机聚合物包括8至20个碳原子。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层沉积至从至范围内的厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层在选择性沉积所述覆盖层之前选择性沉积。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层包括选自氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)、碳氧化硅(SiOC)、氮化硼(BN)、氮化硼硅(SiBN)、氧化钇(Y2O3)或氧化锆(ZrO2)的材料。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟任，王仁宏，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：