一种方法包括在半导体区域上方形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的相对侧上形成栅极间隔件，在伪栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域，在源极/漏极上方形成层间电介质，用替换栅极堆叠件替换伪栅极堆叠件，使替换栅极堆叠件凹陷以在栅极间隔件之间形成...

公开了一种集成电路(IC)芯片封装件及其制造方法。IC芯片封装件包括在衬底的第一表面上的器件层、在器件层上的第一互连结构以及在衬底的第二表面上的第二互连结构。第一互连结构包括在第一金属线层中并且被配置为发射指示器件层中存在或不存在缺陷的...

本发明的实施例提供了电阻式存储器器件及其形成方法。电阻式存储器器件包括底部电极、位于所述底部电极上方的切换层，切换层包括第一水平部分、位于所述底部电极的上表面上方的第二水平部分以及位于所述第一水平部分和第二水平部分之间的底部电极的侧表面...

一种形成半导体结构的方法包括在第一晶圆上形成第一接合层，以及形成延伸至第一接合层中的第一导热通道。第一导热通道的第一导热率值高于第一接合层的第二导热率值。该方法还包括在第二晶圆上形成第二接合层，以及形成延伸至第二接合层中的第二导热通道。...

一种集成电路与其制造方法，在集成电路制造方法中，装置或子电路制造于各自的第一及第二电隔离区中。背对背(back

本揭露有关于一种记忆体装置及其测试方法。记忆体装置包含第一记忆体区块。第一记忆体区块包含第一记忆体次阵列及设置相邻于第一记忆体次阵列的第一界面部分。第一记忆体区块还包含通过第一界面部分电性耦合至第一记忆体次阵列的多个第一内连接结构及配置...

一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一...

本公开涉及集成芯片结构及其形成方法。集成芯片结构包括具有布置成多个行和多个列的多个存储器器件的存储器阵列。字线耦合到设置在多个行的第一行内的多个存储器器件的第一组。位线耦合到设置在多个列的第一列内的多个存储器器件的第二组。局部互连件平行...

一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。...

实施例通过器件的各个非有源部件提供稳压电源布线。在一个实施例中，这样的非有源部件包括可以形成在管芯堆叠件的密封材料中的通孔壁。在另一个实施例中，这样的非有源部件包括形成在管芯堆叠件上方的散热部件。在另一个实施例中，这样的非有源部件包括与...

一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯...

本公开的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：提供包括第一电路区域和第二电路区域的衬底；在衬底上形成半导体堆叠件，其中，半导体堆叠件包括交替堆叠在衬底上的具有第一成分的第一半导体层和具有第二成分的第二半导体层；对半导体堆叠件和衬底...

方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工...

本公开实施例涉及用于在制造工艺期间前开口传送盒装载到设备前端模块上且用于转移半导体晶片衬底时，降低前开口传送盒内的湿度的系统和方法。指定结构的偏转器放置在前开口传送盒的装载口上方的设备前端模块内。偏转器引导设备前端模块中的气流远离装载口...

制造半导体器件结构的方法包括将器件衬底接合至第一剥离层。第一剥离层设置在第一载体衬底上，并且器件衬底具有面向第一载体衬底的第一侧和与第一侧相对的第二侧。器件衬底具有第一宽度。对器件衬底执行前段制程(FEOL)工艺和后段制程(BEOL)工...

器件包括半导体纳米结构的垂直堆叠件、栅极结构、第一外延区域和介电结构。栅极结构包裹半导体纳米结构。第一外延区域横向邻接半导体纳米结构的第一半导体纳米结构。介电结构横向邻接半导体纳米结构的第二半导体纳米结构并且垂直邻接第一外延区域。本申请...

本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。网格包括从网格的第一侧延伸到网格的第二侧的多个孔。在PEALD工艺...

本发明的实施例提供了半导体器件，包括源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量...

半导体结构包括：块状半导体衬底；第一多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；多个半导体鳍，突出高于第一多个介电隔离区域；第一栅极堆叠件，位于多个半导体鳍的顶面和侧壁上；第二多个介电隔离区域，位于块状半导体衬底上方；台面结构，位于第二多...

公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联...