集成电路及其制造方法技术

一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘，且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离，该预定距离是该分离距离的一部分。离的一部分。离的一部分。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其制造方法


[0001]本案是关于一种集成电路，特别是关于一种包含第一电力轨及第二电力轨、第一作用区结构及第二作用区结构以及第一端导体线的集成电路。

技术介绍

[0002]使集成电路(integrated circuit，IC)小型化的最近趋势已导致消耗更少功率却以更高速度提供更多功能性的更小装置。小型化过程亦已导致更严格的设计及制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(electronic design automation，EDA)工具产生、最佳化且验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计及制造规范。

技术实现思路

[0003]本揭示案揭露的一种制造半导体装置的方法包括：形成含有机材料的第一层在本案的一实施例提供一种集成电路，包含在第一方向上延伸的第一电力轨及第二电力轨、在第一方向上延伸的第一作用区结构及第二作用区结构以及第一端导体线。第一端导体线具有第一导体区段及第二导体区段，第一导体区段及第二导体区段在近侧边缘处以第一分离距离分开且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一端导体线的第一导体区段与第一作用区结构相交且具有沿着第二方向与第一电力轨分开的远侧边缘。第一端导体线的第二导体区段与第二作用区结构相交且经由第一通孔连接件连接至第二电力轨。沿着第二方向自第一电力轨的中心线至第一端导体线的第一导体区段的近侧边缘的第一垂直距离不同于沿着第二方向自第二电力轨的中心线至第一端导体线的第二导体区段的近侧边缘的第二垂直距离。第一垂直距离比第二垂直距离大第一预定垂直距离，第一预定垂直距离是第一分离距离的部分。
[0004]本案的另一实施例提供一种集成电路，包含第一电力轨及第二电力轨、第一作用区结构及第二作用区结构、第一端导体线、第二端导体线、第一水平单元边界以及第二水平单元边界。第一电力轨及第二电力轨在第一方向上延伸。第一作用区结构及第二作用区结构在第一方向上延伸。第一端导体线具有第一导体区段及第二导体区段，第一导体区段及第二导体区段在近侧边缘处以第一分离距离分开且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一端导体线的第一导体区段与第一作用区结构相交且具有沿着第二方向与第一电力轨分开的远侧边缘，且其中第一端导体线的第二导体区段与第二作用区结构相交且经由第一通孔连接件连接至第二电力轨。第二端导体线具有第一导体区段及第二导体区段，第一导体区段及第二导体区段在近侧边缘处以第一分离距离分开且在第二方向上延伸，其中第二端导体线的第一导体区段与第一作用区结构相交且经由第二通孔连接件连接至第一电力轨，且其中第二端导体线的第二导体区段与第二作用区结构相交且具有沿着第二方向与第二电力轨分开的远侧边缘。第一水平单元边界在第一方向上延伸且邻接第二通孔连接件的外边缘。第二水平单元边界在第一方向上延伸且邻接第一通孔连接件的外边缘。其中沿着第二方向自第一水平单元边界至第一端导体线的第一导体区段的近侧边缘的垂直距
离大于沿着第二方向自第二水平单元边界至第一端导体线的第二导体区段的近侧边缘的垂直距离。其中沿着第二方向自第一水平单元边界至第二端导体线的第一导体区段的近侧边缘的垂直距离小于沿着第二方向自第二水平单元边界至第二端导体线的第二导体区段的近侧边缘的垂直距离。
[0005]本案的另一实施例提供制造集成电路的方法，包含以下步骤：制造在第一方向上延伸的第一作用区结构及第二作用区结构；制造在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一端导体线及第二端导体线；蚀刻第一端导体线及第二端导体线，借此将第一端导体线及第二端导体线中的每一者分成与第一作用区结构相交的第一导体区段及与第二作用区结构相交的第二导体区段；形成在第一方向上延伸的第一电力轨及第二电力轨；将第一端导体线的第二导体区段经由第一通孔连接件连接至第二电力轨；且其中自第一电力轨的中心线至第一端导体线的第一导体区段的近侧边缘的垂直距离比自第二电力轨的中心线至第一端导体线的第二导体区段的近侧边缘的垂直距离大第一预定垂直距离，第一预定垂直距离是第一分离距离的部分，第一分离距离将第一端导体线的第一导体区段及第二导体区段分开。
附图说明
[0006]当结合随附附图来阅读时，根据以下详细描述将最好地理解本案的态样。请注意，根据业内的标准做法，并未按比例绘制各种特征。事实上，为了论述的清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A至图1B是根据一些实施例的与或反相器单元(And
‑
Or
‑
Inverter单元，AOI单元)的布局图；
[0008]图1C是根据一些实施例的如图1A至图1B中的布局图所指明的AOI单元的等效电路；
[0009]图2A至图2C是根据一些实施例的如图1A至图1B所指明的AOI单元的横截面视图；
[0010]图3A至图3E是根据一些实施例的如图1A至图1B所指明的AOI单元的横截面视图；
[0011]图4A至图4C是根据一些实施例的AOI单元的布局图；
[0012]图5是根据一些实施例的具有三个AOI单元的集成电路的布局图；
[0013]图6是根据一些实施例的具有减小的单元高度的AOI单元的的布局图；
[0014]图7A至图7C是根据一些实施例的AOI单元的布局图；
[0015]图8A至图8C是根据一些实施例的具有三个AOI单元的集成电路的布局图；
[0016]图9是根据一些实施例的制造集成电路的方法的流程图；
[0017]图10是根据一些实施例的电子设计自动化(electronic design automation，EDA)系统的方块图；
[0018]图11是根据一些实施例的集成电路(integrated circuit，IC)制造系统及与其相关联的IC制造流程的方块图。
[0019]【符号说明】
[0020]20:基板
[0021]22:绝缘层
[0022]42,44:电力轨
[0023]42C,44C:中心线
[0024]80n,80p:作用区结构
[0025]100:与或反相器单元
[0026]111,119:垂直单元边界
[0027]112,118:水平单元边界
[0028]122,124A,124B,124C,126A,126B:水平导电线
[0029]132,134,135,136,138:端导体线
[0030]132p,132n,134p,134n,135p,135n,136p,138p,138n:导体区段
[0031]132pA,132nA,134nA,134pA,135nA,135pA,138nA,138pA:近侧边缘
[0032]132pB,134nB,135nB,135pB,138pB:远侧边缘
[0033]136i:绝缘结构
[0034]151,159:虚设栅极导体
[0035]151i,159i:边界隔离区
[0036]162U,162本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：在一第一方向上延伸的一第一电力轨及一第二电力轨；在该第一方向上延伸的一第一作用区结构及一第二作用区结构；以及一第一端导体线，该第一端导体线具有一第一导体区段及一第二导体区段，该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开且在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸，其中该第一端导体线的该第一导体区段与该第一作用区结构相交且具有沿着该第二方向与该第一电力轨分开的一远侧边缘，且其中该第一端导体线的该第二导体区段与该第二作用区结构相交且经由一第一通孔连接件连接至该第二电力轨；其中沿着该第二方向自该第一电力轨的一中心线至该第一端导体线的该第一导体区段的一近侧边缘的一第一垂直距离不同于沿着该第二方向自该第二电力轨的一中心线至该第一端导体线的该第二导体区段的一近侧边缘的一第二垂直距离；且其中该第一垂直距离比该第二垂直距离大，一第一预定垂直距离，该第一预定垂直距离是该第一分离距离的一部分。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中沿着该第二方向自该第一电力轨的该中心线至该第一端导体线的该第一导体区段的一远侧边缘的一垂直距离等于该第一分离距离。3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包含：一第二端导体线，该第二端导体线具有一第一导体区段及一第二导体区段，该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以该第一分离距离分开且在该第二方向上延伸，其中该第二端导体线的该第一导体区段与该第一作用区结构相交且经由一第二通孔连接件连接至该第一电力轨，且其中该第二端导体线的该第二导体区段与该第二作用区结构相交且具有沿着该第二方向与该第二电力轨分开的一远侧边缘；其中沿着该第二方向自该第一电力轨的该中心线至该第二端导体线的该第一导体区段的一近侧边缘的一第三垂直距离不同于沿着该第二方向自该第二电力轨的该中心线至该第二端导体线的该第二导体区段的一近侧边缘的一第四垂直距离；且其中该第三垂直距离比该第四垂直距离小等于该第一预定垂直距离的一量。4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中沿着该第二方向自该第二电力轨的该中心线至该第二端导体线的该第二导体区段的一远侧边缘的一垂直距离等于该第一分离距离。5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包含：一第三端导体线，该第三端导体线具有一第一导体区段及一第二导体区段，该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以该第一分离距离分开且在该第二方向上延伸，其中该第三端导体线的该第一导体区段与该第一作用区结构相交且具有沿着该第二方向与该第一电力轨分开的一远侧边缘，且其中该第三端导体线的该第二导体区段与该第二作用区结构相交且具有沿着该第二方向与该第二电力轨分开的一远侧边缘；其中沿着该第二方向自该第一电力轨的该中心线至该第三端导体线的该第一导体区段的一近侧边缘的一第三垂直距离不同于沿着该第二方向自该第二电力轨的该中心线至该第三端导体线的该第二导体区段的一近侧边缘的一第四垂直距离；且其中该第三垂直距离不同于该第四垂直距离达等于该第一预定垂直距离的一量。
6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，其中沿着该第二方向自该第一电力轨的该中心线至该第三端导体线的该第一导体区段的一远侧边缘的一第五垂直距离不同于沿着该第二方向自该第二电力轨的该中心线至该第三端导体线的该第二导体区段的一远侧边缘的一第六垂直距离，且其中该第五垂直距离或该第六垂直距离均不等于该第一分离距离。7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包含：一第三端导体线，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖知佑，陈志良，卢麒友，邱上轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：