自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法技术方案

本公开关于一种自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法，并描述了基于薄膜晶体管的温度传感器电路的实施例。基于薄膜晶体管的温度传感器电路包括：具有薄膜晶体管的第一频率产生器、具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器、第一计数器组件和第二计数器组件以及一个处理器组件。第一计数器组件和第二计数器组件被配置为分别从第一频率产生器和第二频率产生器中计算出第一脉冲和第二脉冲的数量。处理器组件配置为根据第一脉冲和第二脉冲的数量以确定频率。和第二脉冲的数量以确定频率。和第二脉冲的数量以确定频率。

【技术实现步骤摘要】
自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法


[0001]本公开的实施例是有关于一种晶体管温度传感器的电路及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于半导体集成电路行业已经历了指数级增长。集成电路材料和设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在集成电路的发展过程中，功能密度(例如，每个芯片面积上的互连组件的数量)普遍增加，而集成电路构件的几何大小(例如，使用工艺可以构建的最小构件或线路)已经减少，因此增加了对集成电路的热能管理的需求。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例描述了一种基于薄膜晶体管的温度传感器电路。基于薄膜晶体管的温度传感器电路包括具有一个或多个薄膜晶体管的第一频率产生器、具有一个或多个互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器、第一计数器组件和第二计数器组件以及一个处理器组件。第一计数器组件和第二计数器组件被配置为分别从第一频率产生器和第二频率产生器中计算出第一脉冲和第二脉冲的数量。处理器组件配置为根据第一脉冲和第二脉冲的数量来决定频率。
[0004]根据本公开的一些实施例描述了一种具有组件层的集成电路结构和设置在组件层上的薄膜晶体管组件层。组件层包括具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第一环型振荡器电路、第一计数器和第二计数器组件、配置为根据第一计数器组件和第二计数器组件计数而得到的的脉冲数以确定温度的处理器组件、配置为向处理器组件提供一个或多个参数的初始化电路以及第一内连结构。薄膜晶体管组件层包括具有薄膜晶体管的第二环型振荡器电路和第二内连结构，该结构被配置为通过第一内连结构将第二环型振荡器电路电性耦合到第二计数器组件。第一计数器组件和第二计数器组件被配置为分别从第一环型振荡器电路和第二环型振荡器电路中计算出第一脉冲和第二脉冲的数量。此外，所述一个或多个参数与第一环型振荡器电路和第二环型振荡器电路的频率和温度之间的关系有关。
[0005]根据本公开的一些实施例，描述了一种用于操作基于薄膜晶体管的温度传感器电路的方法。该方法包括(i)由具有薄膜晶体管的第一频率产生器生成具有第一频率的第一脉冲信号，(ii)由具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器生成具有第二频率的第二脉冲信号，(iii)使用处理器组件以确定第一脉冲信号和第二脉冲信号之间的频率差值以及(iv)使用处理器组件并根据频率的差值来确定温度。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1是根据本公开中的一些实施例，描述具有温度传感器组件的系统的示意图。
[0008]图2是根据本公开中的一些实施例，描述基于薄膜晶体管的温度传感器电路的示意图。
[0009]图3是根据本公开中的一些实施例，描述基于薄膜晶体管的环型振荡器电路的示意图。
[0010]图4是根据本公开中的一些实施例，描述基于互补式金属氧化物半导体晶体管的环型振荡器电路的示意图。
[0011]图5是根据本公开的一些实施例，示出了基于互补式金属氧化物半导体的环型振荡器电路和基于薄膜晶体管的环型振荡器电路的环型振荡器频率和温度之间的关系的示意图。
[0012]图6是根据本公开中的一些实施例，描述具有组件层和薄膜晶体管组件层的集成电路结构的示意图。
[0013]图7是根据本公开的一些实施例，示出对于不同温度下的薄膜晶体管的漏极电流和薄膜晶体管的栅极电压之间的关系的示意图。
[0014]图8是根据本公开中的一些实施例，描述使用基于薄膜晶体管的温度传感器电路检测温度的方法的示意图。
[0015]图9是根据本公开中的某些实施例，描述在组件层上制造薄膜晶体管组件结构的方法的示意图。
[0016]图10
–
14是根据本公开中的某些实施例，在薄膜晶体管组件结构的制造过程的各个阶段，在组件层上的薄膜晶体管组件结构的示意图。
[0017]现在将在附图参照中描述本公开的说明性实施例。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的组件。
具体实施方式
[0018]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，且自身并不表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0019]在本公开的一些实施例中，术语"实质上"和"大约"可以表示在该值的5％范围内变化的给定数量的值(例如，该值的
±
1％、
±
2％、
±
3％、
±
4％和
±
5％)。这些数值仅仅是作为示例，且不旨在进行限制。术语"大体上"和"大约"，本领域普通技术人员将能够基于行业知识、当前制造技术等理解并推导出这些术语的适当含义。
[0020]以下公开描述了基于薄膜晶体管的温度传感器组件的各个方面。基于薄膜晶体管的温度传感器组件包括具有薄膜晶体管的第一频率产生器、具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器、第一计数器组件和第二计数器组件以及一个处理器组件。第一计数器组件和第二计数器组件被配置为分别从第一频率产生器和第二频率产生器中计算
出第一脉冲和第二脉冲的数量。处理器组件被配置为基于第一脉冲和第二脉冲的数量以确定温度，例如实现基于薄膜晶体管的温度传感器组件的系统中的温度。基于薄膜晶体管的温度传感器组件的优点包括低功率消耗、紧密的电路设计以及独立于温度的变化。
[0021]图1是根据本公开的一些实施例的系统100和温度传感器组件130的示意图，。除了温度传感器组件130，系统100还包括处理器组件110和内存组件120。尽管系统100包括处理器组件110、内存组件120和温度传感器组件130，但根据本文的描述，系统100可以包括其他组件，例如输入/输出电路、内连总线控制器和其他模拟/数字电路，这些都在本公开的精神和范围之内。
[0022]在本公开中的一些实施例中，处理器组件110可以是中央处理单元、图形处理单元或者它们的组合。处理器组件110可以是其他类型的处理组件，例如网络处理组件、声音处理组件和专用集成电路。这些其他类型的处理组件均在本公开的精神和范围内。在本公开中的一些实施例中，内存组件120可以是内存中的任何一种，例如静态随机存取内存组件、动态随机存取内存组件、同步动态随机存取内存组件、闪存组件、磁阻随机存取内存组件、相变随机存取内存组件、铁电随机存取内存组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度传感器电路，包括：第一频率产生器，包括一个或多个薄膜晶体管；第二频率产生器，包括一个或多个互补式金属氧化物半导体晶体管；第一和第二计数器组件，配置为分别从所述第一频率产生器和所述第二频率产生器中计算出第一脉冲和第二脉冲的数量；以及处理器组件，配置为根据所述第一脉冲和所述第二脉冲的所述数量确定温度。2.如权利要求1所述的电路，其中所述第一频率产生器包括彼此电性耦合的多个薄膜晶体管。3.根据权利要求2所述的电路，其中所述多个薄膜晶体管包括互相耦合以形成多个反相器电路的多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管，并且其中所述多个反相器电路以环型振荡器的配置方式彼此耦合。4.如权利要求1所述的电路，其中所述处理器组件进一步被配置为根据预定的时间期间内的所述第一脉冲和所述第二脉冲的所述数量来确定频率差值。5.如权利要求4所述的电路，其中所述处理器组件被配置为根据所述频率差值来确定所述温度，并且其中对于所述第一频率产生器和所述第二频率产生器，在所述频率和所述温度之间的关系中，所述频率差值被映射到所述温度。6.一种温度传感器集成电路结构，包括：组件层，包括：第一环型振荡器电路，包括多个互补式金属氧化物半导体晶体管；第一计数器组件和第二计数器组件；处理器组件配置为根据所述第一计数器组件和所述第二计数器组件所计数的脉冲来确定温度；起始电路，配置为提供一个或多个参数至所述处理器组件；和第一内连结构；以及设置于所述组件层上的薄膜晶体管组件层，其中所述薄膜晶体管组件层包括：第二环型振荡器电路，包括多...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕士濂，姜慧如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：