转移晶片衬底的系统、降低相对湿度方法及减少气流方法技术方案

本公开实施例涉及用于在制造工艺期间前开口传送盒装载到设备前端模块上且用于转移半导体晶片衬底时，降低前开口传送盒内的湿度的系统和方法。指定结构的偏转器放置在前开口传送盒的装载口上方的设备前端模块内。偏转器引导设备前端模块中的气流远离装载口。偏转器包括在偏转器主体中具有多个孔且具有倾斜前表面的主体。因此，降低了从设备前端模块进入前开口传送盒的高湿度空气的穿透程度。前开口传送盒的高湿度空气的穿透程度。前开口传送盒的高湿度空气的穿透程度。

【技术实现步骤摘要】
Pod,FOUP)。
[0008]图2是根据本公开的一些实施例的设备前端模块(Equipment Front End Module,EFEM)的前透视图。
[0009]图3是根据本公开的一些实施例的EFEM的侧剖视图。
[0010]图4是根据本公开的一些实施例的偏转器的第一实施例的后透视图。
[0011]图5是图4的偏转器的剖视图。
[0012]图6A至图6B是根据一些实施例的偏转器与装载口的不同配置的图示。
[0013]图6A示出了第一实施例，其中EFEM具有两个装载口和两个单独的偏转器，每个装载口有一个偏转器。
[0014]图6B示出了第二实施例，其中EFEM具有两个装载口和跨越两个装载口的宽度的一个偏转器。
[0015]图7A至图7D是根据一些实施例的具有不同剖面形状的通道的偏转器的平面图。
[0016]图7A显示了通道的圆形剖面。
[0017]图7B显示了通道的六边形剖面。
[0018]图7C显示了通道的三角形剖面。
[0019]图7D显示了通道的矩形剖面。/>[0020]图8本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种将半导体晶片衬底转移到工艺模块的系统，其特征在于，包括：设备前端模块，其侧面中具有至少一装载口且其顶部中具有风扇过滤器单元，所述风扇过滤器单元在所述设备前端模块内产生向下的层流气流；至少一偏转器，位于所述至少一装载口上方和所述风扇过滤器单元下方的所述设备前端模块的内表面上，用于引导所述层流气流远离所述至少一装载口，所述至少一偏转器包括主体，所述主体具有倾斜或弯曲前表面、邻接所述设备前端模块的所述内表面的后表面以及多个平行的通道，所述通道从所述主体的上表面延伸到所述主体的与所述上表面成角度的下表面；以及工艺模块，配置为当包含半导体晶片衬底的前开口传送盒在所述至少一装载口处装载时从所述设备前端模块接收所述半导体晶片衬底。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述主体的宽度是所述至少一装载口的宽度的100％至120％。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述设备前端模块具有多个装载口，且所述至少一偏转器具有足以跨越两个装载口的宽度。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述通道的直径为5mm至15mm。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述通道相对于所述下表面成60
°
至90
°
之间的角度。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述通道具有三角形、矩形、六边形或圆形的剖面。7.一种用于降低前开口传送...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宋儒，郑光伟，吴政隆，徐伊芃，倪其聪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：