形成半导体器件的方法技术

公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联；将光刻胶层暴露于图案化的能量；加热光刻胶层以引起光刻胶层中的解交联，形成光刻胶层的解交联的部分；以及去除光刻胶层的解交联的部分。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体器件的方法。的实施例还涉及形成半导体器件的方法。的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及形成半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定区域中集成更多组件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在所述第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，其中，使用一种或多种有机金属前体沉积所述光刻胶层；加热所述光刻胶层以引起所述一种或多种有机金属前体之间的交联；将所述光刻胶层暴露于图案化的能量；加热所述光刻胶层以引起所述光刻胶层中的解交联，形成所述光刻胶层的解交联的部分；以及去除所述光刻胶层的所述解交联的部分。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在所述第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，其中，使用一种或多种有机金属前体沉积所述光刻胶层；加热所述光刻胶层以引起所述一种或多种有机金属前体之间的交联；将所述光刻胶层暴露于图案化的能量；加热所述光刻胶层以引起所述光刻胶层中的解交联，形成所述光刻胶层的解交联的部分；以及去除所述光刻胶层的所述解交联的部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一硬掩模层包括光敏化合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述光刻胶层暴露于所述图案化的能量还将所述第一硬掩模层暴露于所述图案化的能量，其中，将所述第一硬掩模层暴露于所述图案化的能量在所述第一硬掩模层中生成酸或碱，其中，所述酸或碱转移至所述光刻胶层，并且其中，所述酸或碱在所述光刻胶层的解交联时与所述光刻胶层反应。4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述光刻胶层上方旋涂第二硬掩模层，所述第二硬掩模层包括附加光敏化合物。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种有机金属前体包括第一前体和第二前体，所述第一前体包括M(CH2COOX)4或M(CH2COOR)4，所述第二前体包括M(CH＝CH2)4或M(CH(CH3)X)4，其中，M表示金属，X表示卤素，并且R表示烷基。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘之诚，郭怡辰，陈彦儒，李志鸿，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：