半导体器件及其形成方法技术

方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺将第一外延区域与第二外延区域分隔开；在第一外延区域与第二外延区域之间沉积介电材料；以及形成在第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。实施例还涉及半导体器件及其形成方法。实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层，以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来持续地改进各个电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多的组件集成至给定区域。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕所述第一鳍和所述第二鳍的隔离层；在所述第一鳍上外延生长第一外延区域并且在所述第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，所述第一外延区域和所述第二外延区域合并在一起；对所述第一外延区域和所述第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，所述蚀刻工艺将所述第一外延区域与所述第二外延区域分隔开；在所述第一外延区域与所述第二外延区域之间沉积介电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕所述第一鳍和所述第二鳍的隔离层；在所述第一鳍上外延生长第一外延区域并且在所述第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，所述第一外延区域和所述第二外延区域合并在一起；对所述第一外延区域和所述第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，所述蚀刻工艺将所述第一外延区域与所述第二外延区域分隔开；在所述第一外延区域与所述第二外延区域之间沉积介电材料；以及形成在所述第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一鳍和所述第二鳍分隔开26nm至190nm的范围内的距离。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料包括碳氮化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一外延区域是第一鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极/漏极区域，并且所述第二外延区域是第二鳍式场效应晶体管的源极/漏极区域。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料的底面比所述隔离层的顶面更靠近所述衬底。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料的底面在所述衬底的顶面下方延伸。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料物理接触所述第一外延区域的侧壁和所述第二外延区域的侧壁。8.根据权利要求1所述的方法，其中在执行所述蚀刻工艺之后，所述第一外延区域与所述第二外延区域分隔开8nm至30nm范围内的距离。9.一种形成半导体器件的方法，包括：形成在衬底上延伸的多个鳍；在所述多个鳍上形成多个外延源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，刘皓恒，张博钦，陈颐珊，蔡明桓，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：