封装件及其形成方法技术

一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明专利技术的实施例还涉及封装件。涉及封装件。涉及封装件。

【技术实现步骤摘要】
封装件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及封装件及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。与此同时，需要将更多功能集成至半导体管芯中。因此，半导体管芯需要将越来越大数量的I/O焊盘封装至较小区域中，并且I/O焊盘的密度随着时间的推移而迅速增加。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这不利地影响了封装件的良率。
[0003]在一些封装工艺中，在器件管芯被封装之前，从晶圆上锯切出器件管芯，其中形成再分布线以连接到器件管芯。这种封装技术的有利特征是可以形成扇出封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘再可以分布至比管芯更大的区域，并且因此位于管芯表面上的I/O焊盘的数量可以增加。这种封装技术的另一有利特征是将“已知良好的管芯”进行封装，而丢弃有缺陷的管芯，并且因此，不会把成本和精力浪费在有缺陷的管芯上。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第二金属网，其中，第一金属网和第二金属网交错；在第二金属网上方形成第二介电层；将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠；将器件管芯密封在密封剂中；以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。
[0005]本专利技术的另一些实施例提供了一种封装件，包括：第一介电层；第一金属网，位于第一介电层上方；第二介电层，位于第一金属网上方；第二金属网，位于第二介电层上方，其中，第一金属网和第二金属网交错；第三介电层，位于第二金属网上方；管芯附接膜，位于第三介电层上方并且物理接触第三介电层，其中，管芯附接膜与第一金属网和第二金属网重叠；封装组件，位于管芯附接膜上方并且与管芯附接膜接触；密封剂，将封装组件密封在密封剂中；以及再分布线，位于封装组件上方并且电连接至封装组件。
[0006]本专利技术的又一些实施例提供了一种封装件，包括：第一金属板，包括第一多个开口，其中，第一多个开口包括第一中心；第二金属板，与第一金属板重叠，第二金属板包括第二多个开口，其中，第二多个开口包括第二中心，并且其中，第一多个开口的第一中心垂直地偏离第二多个开口的第二中心；介电层，位于第二金属板上方并且延伸到第二多个开口中；以及器件管芯，与第一金属板和第二金属板重叠。
[0007]本专利技术的再一些实施例提供了器件管芯背侧上的交错金属网及其形成方法。
附图说明
[0008]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸
可以任意地增大或减小。
[0009]图1至图14示出了根据一些实施例的在形成包括金属网的封装件中的中间阶段的截面图。
[0010]图15至图17示出了根据一些实施例的交错的金属网的俯视图。
[0011]图18示出了根据一些实施例的器件管芯和交错的金属网以及附近的贯通孔的俯视图。
[0012]图19和图20示出了根据一些实施例的贯通孔附近的伪金属区域的俯视图。
[0013]图21至图24示出了根据一些实施例的交错的金属网的俯视图。
[0014]图25至图26示出了根据一些实施例的在管芯附接膜和下面的介电层之间可能形成的空隙及后果的截面图。
[0015]图27示出了根据一些实施例的包括交错的金属网的封装件的截面图。
[0016]图28示出了根据一些实施例的包括交错的金属条的封装件的俯视图。
[0017]图29示出了根据一些实施例的用于形成包括交错的金属网的封装件的工艺流程。
具体实施方式
[0018]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同部件的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0019]此外，为便于描述，在此可以使用诸如“下面的”、“在
…
之下”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0020]提供了包括交错的金属网的封装件及其形成方法。根据本专利技术的一些实施例，首先形成交错的金属网，以及形成介电层以覆盖交错的金属网。通过管芯附接膜将器件管芯直接附接在介电层的上方。通过金属网被交错，降低了介电层的拓扑结构，并且降低或消除了介电层与管芯附接膜之间形成空隙的可能性。这可以引起管芯附接膜和器件管芯的翘曲减少。本文讨论的实施例是为了提供实例以实现或使用本公开的主题，并且本领域普通技术人员将容易理解在保持在不同实施例的预期范围内的同时可以进行的修改。在各个视图和示出的实施例中，类似的附图标号用于表示类似的元件。尽管可以将方法实施例讨论为以特定顺序执行，但是可以以任何逻辑顺序来执行其他方法实施例。
[0021]图1至图14示出了根据本专利技术的一些实施例的在形成包括交错的金属网的封装件中的中间阶段的截面图。对应的工艺也示意性地反映在图29所示的工艺流程中。
[0022]参考图1，提供了载体20，并且在载体20上涂覆释放膜22。载体20由透明材料形成，并且载体20可以是玻璃载体、陶瓷载体等。释放膜22可以由光热转换(LTHC)涂层材料形成，
并且可以通过涂覆将释放膜22施加到载体20上。根据本专利技术的一些实施例，LTHC涂层材料能够在光/辐射(诸如激光)的热量下分解，并且因此可以将载体20从形成在载体上的结构中释放出来。
[0023]根据一些实施例，如图1所示，在释放膜22上形成介电层24。介电层24可以由诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物形成，或者介电层24可以包括诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物。
[0024]在介电层24上方沉积金属晶种层26A。对应的工艺在图29所示的工艺流程200中示出为工艺202。根据一些实施例，金属晶种层26A包括钛层和位于钛层上方的铜层。可以通过例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等来形成金属晶种层。
[0025]接下来，如图2所示，施加图案化的镀掩模28以及对图案化的镀掩模28进行图案化。对应的工艺在图29所示的工艺流程200中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成第一金属网；在所述第一金属网上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第二金属网，其中，所述第一金属网和所述第二金属网交错；在所述第二金属网上方形成第二介电层；将器件管芯附接在所述第二介电层上方，其中，所述器件管芯与所述第一金属网和所述第二金属网重叠；将所述器件管芯密封在密封剂中；以及在所述器件管芯上方形成再分布线，并且将所述再分布线电连接至所述器件管芯。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属网包括第一多个开口，并且所述第二金属网包括与所述第一多个开口垂直未对准的第二多个开口。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一金属网和所述第二金属网的俯视图中，所述第一金属网和所述第二金属网的总密度小于100％。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属网横向延伸至所述器件管芯的相对边缘。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第一介电层包括分配聚合物层。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在与形成所述第一金属网相同的工艺中形成第一伪金属网；以及在与形成所述第二金属网相同的工艺中形成第二伪金属网，其中，所述第一伪金属网和所述第二伪金属网与所述器件管芯垂直未对准，并且所述第一伪金属网和所述第二伪金属网交错。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在用于形成所述第一金属网的相同工艺中形成第一伪金属网，其中，所述第一伪金属网包括第一开口阵列；以及在用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子松，江宗宪，曾明鸿，蔡豪益，胡毓祥，林志伟，庄立朴，蔡玮伦，江铠名，林敬尧，李兆伟，谢静华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：