半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体器件，包括源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量子点量子比特区；累积栅极，位于所述一对耗尽栅极之上，并且跨越所述一对耗尽栅极；以及超导谐振器，与所述量子点量子比特区横向地相邻。本发明专利技术的实施例还提供了制造半导体器件的方法。提供了制造半导体器件的方法。提供了制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]量子计算是指与使用量子力学现象来操纵数据的计算系统相关的研究领域。在构建可伸缩的、硅基的量子计算机的路线图上，已经实现了几个里程碑。量子计算可能涉及初始化N个量子比特(量子比特)的状态，在它们之间创建受控纠缠，允许这些状态演化，并且在演化之后读出量子比特的状态。量子比特是具有两个简并(即能量相等)量子态的系统，其在任何状态中被发现的概率均为非零。因此，N个量子比特可以限定初始状态，其为2
N
个经典状态的组合。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例提供了一种半导体器件，包括源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，沟道区位于源极区和漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，一对耗尽栅极均与沟道区重叠，并且在沟道区中和一对耗尽栅极之间限定量子点量子比特区；累积栅极，位于一对耗尽栅极之上，并且跨越一对耗尽栅极；以及超导谐振器，与量子点量子比特区横向地相邻。
[0004]本专利技术的另一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量子点量子比特区；累积栅极，位于所述一对耗尽栅极之上，并且跨越所述一对耗尽栅极；以及超导谐振器，与所述量子点量子比特区横向地相邻。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超导谐振器是II型超导体。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超导谐振器是单晶的。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超导谐振器的超导转变温度高于所述累积栅极的超导转变温度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超导谐振器和所述累积栅极之间的横向距离在约15nm至约50nm的范围内。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述累积栅极的厚度大于所述超导谐振器的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超导谐振器的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱辰，梁启德，管希圣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：