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本发明的实施例提供了半导体器件，包括源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量子点...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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