互连结构的形成方法技术

本公开描述了一种用于形成互连结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成导电层，移除导电层的部分以形成从底部向上延伸的导孔部分，在导孔部分和底部上方形成牺牲层，使牺牲层凹蚀至一水平，其大抵等于或低于底部的顶表面的水平，在导孔部分、底部和牺牲层上方形成第一介电材料，并且移除牺牲层以形成邻近底部的气隙。部的气隙。部的气隙。

【技术实现步骤摘要】
互连结构的形成方法


[0001]本专利技术是关于半导体的制造方法，特别是关于互连结构的制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工业引入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(IC)，形成IC的元件的密度增加，而组件或元件之间的尺寸、尺寸和间距减小。在过去，这种减少仅受到光学微影定义结构的能力的限制，具有较小尺寸的装置几何形状(device geometries)产生了新的限制因素。例如，随着后端制程(back
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end
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of
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line,BEOL)互连结构中介电材料中的导电部件的纵横比变得更高，电阻率和阻容(resistive
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capacitive,RC)延迟也会增加。因此，需要改进的形成互连结构的方法。

技术实现思路

[0003]本案提供了一种互连结构的形成方法，包括：形成导电层；移除导电层的多个部分，以形成从底部向上延伸的导孔部分；在导孔部分及底部上形成牺牲层；凹蚀牺牲层至一水平，其大抵等于或低于底部的一顶表面的一水平；在导孔部分、底部及牺牲层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的形成方法，包括：形成一导电层；移除该导电层的多个部分，以形成从一底部向上延伸的一导孔部分；在该导孔部分及该底部上形成一牺牲层；凹蚀该牺牲层至一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承晋，张孝慷，罗廷亚，邓志霖，蔡承孝，李劭宽，杨光玮，黄心岩，眭晓林，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：