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本公开描述了一种用于形成互连结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成导电层，移除导电层的部分以形成从底部向上延伸的导孔部分，在导孔部分和底部上方形成牺牲层，使牺牲层凹蚀至一水平，其大抵等于或低于底部的顶表面的水平，在导孔部分、底部和牺牲层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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