本发明实施例涉及测试滤材的系统与方法。本发明实施例提供一种用于测试超纯水中使用的滤材的系统及方法。用于测试用于从超纯水移除粒子的滤材的所述方法包括：提供带粒子的测试溶液；通过粒子计数器检测所述测试溶液中的所述粒子；使所述测试溶液通过滤材...

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含衬底及金属化层。所述金属化层经放置于所述衬底上方。所述金属化层包含第一信号线、第二信号线及第三信号线，其中所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三...

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：第一金属化构件；第一电介质结构，其在所述第一金属化构件上方；第二金属化构件，其嵌入于所述第一电介质结构中；通路结构，其在所述第一金属化构件与所述第二金属...

本发明实施例涉及放置半导体晶片的方法及装置。本发明实施例提供一种用于处理半导体晶片的方法。所述方法包含将所述半导体晶片传送于具有板的晶片放置装置上方以将所述半导体晶片的边缘与定位在所述板的外围区中的第一缓冲部件对准且将所述半导体晶片的中...

本公开提供一种用于形成绝缘体上半导体衬底的方法。所述方法包含以下操作。接纳回收衬底。在所述回收衬底上形成第一多层结构。在所述第一多层结构中形成沟槽。执行横向蚀刻以移除所述沟槽的侧壁的部分以在所述第一多层结构中形成凹槽。用外延层密封所述沟...

本发明实施例涉及一种光掩模修复方法及其系统。一种光掩模修复的方法包含：提供光掩模，其中所述光掩模包含多层堆叠、光吸收层、抗反射涂层和光吸收层。所述方法进一步包含：接收有关光掩模的信息；根据所述信息确定偏压；基于偏压确定电子束写入器系统的...

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。一种关于半导体结构及其形成的方法包含：形成多个存储器单元，其包含：衬底上的多条第一导线、耦合导线的电荷捕获层、与电荷捕获层相邻设置的通道层、及设置于通道层之间的多个第一填充区域；蚀刻第一填充区域以...

本发明实施例涉及测试电路及其操作方法。本公开提供一种晶片。所述晶片包含裸片、与所述裸片相邻的切割道及与所述切割道相邻的测试电路。所述测试电路包含第一开关、第二开关及第三开关。所述第一开关具有耦合到第一受测装置的第一节点及耦合到第一信号供...

本发明实施例涉及半导体制造设备环境参数检测方法。本发明实施例公开一种监测半导体制造设备的方法及一种半导体制造设备。所述方法包含通过多个气体管线收集无尘室中的环境空气，其中所述多个气体管线的进气口布置于所述无尘室中的多个取样位置处。所述方...

本发明实施例涉及化学物质供给系统的互锁设备。本公开提供一种化学物质供给系统，其包含：腔室；管道，其延伸到所述腔室中；互锁设备，其包含用于紧固所述管道的固定件及用于确定所述管道是否由所述固定件紧固的构件。定所述管道是否由所述固定件紧固的构...

本发明实施例涉及一种研磨液监控装置、一种CMP系统及一种在线监控研磨液的方法。所述研磨液监控装置包含研磨液计量单元、多个光源及至少一个光学检测器。所述研磨液计量单元经配置以容纳研磨液。所述光源经配置以将光束发射于所述研磨液计量单元中的所...

本揭露揭示了一种飞行时间成像系统、影像感测器及其制造方法，用于飞行时间成像系统的影像感测器包括具有一光侦测器的至少一主感测器，该光侦测器包括至少部分形成于含锗材料中的光电接合区，该含锗材料包括原子百分比数大于50％的锗；及具有一光侦测器...

一种制造半导体装置的方法包括：判定晶圆上第一退火区域的第一反射率；判定晶圆上第二退火区域的第二反射率，在第一退火区域上执行第一激光发射，量测第一退火区域的第一温度，且在第二退火区域上执行第二激光发射。根据第一反射率设定第一激光发射的功率...

一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置...

本实用新型提供一种存内运算装置。在一些实施例中，一种集成电路(IC)组件包括有源半导体层、形成于所述有源半导体层内的电路系统、包括形成于所述有源半导体层上方的导电层区、以及形成于所述导电层区中的内存模块。内存组件包括记忆胞的三维阵列，所...

提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此...

提供半导体装置及制造方法，其中在基板上方形成围栏，且在基板上方成长III

本文揭示了半导体装置和制造半导体装置的方法。此方法包括在半导体材料的多层堆叠中形成纳米结构。围绕纳米结构形成层间介电质，并且围绕层间介电质形成栅极介电质。在栅极介电质上方形成第一功函数层。一旦形成了第一功函数层，对所得的结构执行退火工艺...

本文描述的一些实施方式提供一种半导体结构和其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，其中第一端点包括形成在基板上的穿隧层的第一部分和形成在穿隧层的第一部分上的第一栅极。半导体结构包括耦合至基板并且邻近于第一端点的第二端...

本公开所述的一些实施方式提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点。第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上的第一导电结构和形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构...