半导体制造设备环境参数检测方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体制造设备环境参数检测方法。本发明专利技术实施例公开一种监测半导体制造设备的方法及一种半导体制造设备。所述方法包含通过多个气体管线收集无尘室中的环境空气，其中所述多个气体管线的进气口布置于所述无尘室中的多个取样位置处。所述方法还包含由连接到所述气体管线的多个计量装置测量所述环境空气的参数。同时测量所述取样位置中的至少两者。所述方法进一步包含在由所述计量装置检测的所述参数超出可接受值的范围时发出警告。警告。警告。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备环境参数检测方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造设备环境参数检测方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业已经历指数式成长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前代更小及更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积互连装置的数目)一般已提高，而几何大小(即，可使用工艺产生的最小组件(或线))已减小。此按比例缩小过程一般通过提高生产效率及降低相关联成本来提供益处。此按比例缩小还已增加处理及制造IC的复杂性。
[0003]IC通常通过使用一系列晶片制造工具(即，“处理工具”)处理一“批”的一或多个晶片来制造。每一处理工具通常对给定批中的晶片执行单一晶片工艺。例如，特定处理工具可执行层叠、图案化及掺杂操作或热处理。层叠操作通常将所要材料的层添加到暴露晶片表面。图案化操作通常卸除通过层叠形成的一或多个层的选定部分。掺杂操作通常通过晶片表面将掺杂物直接并入到硅中以产生p
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n结。热处理通常加热晶片以实现特定结果(例如掺杂物驱入或退火)。因此，晶片必须在无尘室中的处理工具之间移动。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例涉及一种监测半导体制造设备的方法，其包括：通过多个气体管线收集无尘室中的环境空气，其中所述多个气体管线的进气口布置于所述无尘室中的多个取样位置处；由连接到所述气体管线的多个计量装置测量所述环境空气的参数，其中同时测量所述取样位置中的至少两者；及在由所述计量装置检测的所述参数超出可接受值的范围时发出警告。
[0005]本专利技术的实施例涉及一种监测半导体制造设备的方法，其包括：收集无尘室的第一处理区域及第二处理区域中的环境空气；由多个计量装置监测所述第一处理区域及所述第二处理区域两者中所述环境空气的参数；及在由所述计量装置在所述第一处理区域及所述第二处理区域中的至少一者中检测的所述参数超出可接受值的范围时发出警告。
[0006]本专利技术的实施例涉及一种半导体制造设备，其包括：无尘室；下无尘室，其位于所述无尘室下面且通过高架地板与所述无尘室分离；多个气体管线，其从所述无尘室延伸到所述下无尘室，其中所述气体管线中的每一者包括进气口，且所述进气口定位于所述无尘室中的不同取样位置处；多个计量装置，其中所述计量装置中的每一者与所述气体管线中的一者连接且经配置以测量从所述取样位置收集的环境空气的参数；及数据库服务器，其经配置以处理由所述计量装置产生的测量结果且在所述参数超出可接受值的范围时识别异常。
附图说明
[0007]从结合附图来解读的以下详细描述最好理解本专利技术的实施例的方面。应注意，根
据行业标准做法，各种结构未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。
[0008]图1展示说明根据本公开的一或多个实施例的半导体制造设备的示意图。
[0009]图2展示根据本公开的一或多个实施例的第一检测系统的示意图。
[0010]图3展示根据本公开的一或多个实施例的光电离检测器的一个示范性实施例。
[0011]图4展示根据本公开的一或多个实施例的第一检测系统的示意图。
[0012]图5展示根据本公开的一或多个实施例的半导体制造设备的示意图。
[0013]图6展示根据本公开的一或多个实施例的图5中所展示的数据库服务器的框图。
[0014]图7展示说明根据本公开的一或多个实施例的半导体制造设备的示意图。
[0015]图8展示说明根据本公开的一或多个实施例的半导体制造设备的示意图。
[0016]图9展示说明根据本公开的一或多个实施例的各种方面的监测半导体制造设备的方法的流程图。
具体实施方式
[0017]以下公开提供用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述元件及布置的特定实例以简化本公开。当然，此类仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成于第二构件之上或第二构件上”可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0018]此外，为便于描述，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“之上”、“上”、“在
…
上”及其类似者的空间相对术语可在本文中用于描述元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所说明。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且还可因此解译本文所使用的空间相对描述词。
[0019]如本文所使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区域、层及/或区段，此类元件、组件、区域、层及/或区段不应受限于此类术语。此类术语可仅用于使元件、组件、区域、层或区段彼此区分。除非上下文明确指示，否则本文所使用的例如“第一”、“第二”及“第三”的术语不隐含序列或顺序。
[0020]如本文所使用，术语“近似”、“大体上”、“大体”及“约”用于描述及解释小变化。当结合事件或情境使用时，术语可是指其中事件或情境精确发生的例子及其中事件或情境非常近似发生的例子。
[0021]在半导体制造设备(FAB)环境中，污染物可以气体、化学蒸汽、微米/纳米尺度气溶胶颗粒、空浮分子污染(AMC)等等形式产生。AMC可引起对生产工具的不利效应且因此增加FAB的成本。无尘室环境中的AMC水平主要由溶剂及醋酸的内部来源、废气的二次夹带、芳香族化合物及材料除气产生。然而，FAB环境中的传统环境监测既昂贵又耗时，其依靠部署人力进行样本收集且依靠专用设备进行测量/特征化。另外，传统环境监测技术无法提供连续实时监测，其意味着当提供测量结果用于复查时，FAB设备的条件可能已改变。
[0022]因此，本专利技术的实施例的一个目的是提供一种更容易、更快速及更便宜技术来实现半导体制造设备中环境污染物含量的实时监测。
[0023]图1展示说明根据本公开的一或多个实施例的半导体制造设备10的示意图。根据一些实施例，半导体制造设备10包含无尘室11、下无尘室14及空气室15。
[0024]无尘室11是发生制造的地方且含有用于集成电路生产的处理工具70(例如用于光刻的步进机及/或扫描仪)及蚀刻、清洁、掺杂及切割机器。下无尘室14位于无尘室11下面且通过高架地板12与无尘室11分离。空气室15位于无尘室11上方且通过屋顶13与无尘室11分离。循环导管16将下无尘室14连接到空气室15。在操作中，从无尘室11下降到下无尘室14的气流62通过循环导管16循环回(即，气流63)到空气室15，且由安装于屋顶13上的多个风扇过滤单元(FFU)151致动及过滤的洁净气流61提供到无尘室14。因此，可在半导体制造设备10中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种监测半导体制造设备的方法，其包括：通过多个气体管线收集无尘室中的环境空气，其中所述多个气体管线的进气口布置于所述无尘室中的多个取样位置处；由连接到所述气体管线的多个计量装置测量所述环境空气的参数，其中同时测量所述取样位置中的至少两者；及在由所述计量装置检测的所述参数超出可接受值的范围时发出警告。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述环境空气在所述无尘室中布置成阵列的所述取样位置处收集。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述收集所述无尘室中的所述环境空气经执行使得所述环境空气被抽吸到定位于所述无尘室的高架地板上的所述进气口中，所述高架地板上定位用于制造半导体晶片的一或多个处理工具。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数包括总有机碳TOC浓度，且测量所述环境空气的所述参数的操作包括：通过电离所述环境空气来形成离子；将经电离的所述环境空气引导到检测单元；及测量由离子产生的电流以根据所述电流确定所述TOC浓度。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数包括TOC浓度且所述方法进一步包括：根据由所述计量装置产生的测量结果及关于所述取样位置的位置的数据来产生所述无尘室的TOC浓度等高线图。6.一种监测半导体制造设备的方法，其包括：收集无尘室的第一处理区域及第二处理区域中的环境空气；由多个计量装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志明，庄子寿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：