一种半导体装置，包括基板；栅极结构，包绕纳米结构半导体通道的垂直堆叠；源极/漏极，邻接垂直堆叠并接触纳米结构半导体通道；以及栅极导孔，接触栅极结构，包括：金属衬层，具有第一流动性；以及金属填充层，具有第二流动性，第二流动性大于第一流动性...

本公开提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包含多个纳米结构设置于基板上方以及栅极结构包绕每一个所述纳米结构。每一个所述纳米结构包含通道层，其沿着垂直于基板的方向包夹于两个盖层之间。向包夹于两个盖层之间。向包夹于两个盖层之间。

一种互连结构，包括第一介电层；第一导电层，设置在第一介电层中；第二介电层，设置在第一介电层上方；第二导电层，设置在第二介电层中，并与第一导电层电性接触；第三介电层，设置在第二介电层上方，其中第三介电层包括基于氮碳化硅(SiCN)的材料；...

公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含在基底上形成鳍结构，在鳍结构上形成栅极开口，在鳍结构上形成界面氧化物层，在界面氧化物层上形成第一介电层，在界面氧化物层和第一介电层之间形成偶极层，在第一介电...

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法。根据本公开，半导体结构包含多个纳米结构，设置于基板上方，多个内间隔物部件，交错于所述纳米结构。所述纳米结构沿着垂直于基板的方向配置。所述内间隔物部件包含最底部内间隔物部件以及设置于最底部内间隔物部...

提供一种使遮罩曝光于极紫外光的方法以及极紫外光微影系统，微影系统能够阻止诸如锡碎屑的污染物进入扫描器中。根据本揭露内容的各种实施例的微影系统包括一处理器、一极紫外光源、一扫描器及一中空连接部件。光源包括用于产生一液滴的一液滴产生器、用于...

IC器件包括第一电阻器和第二电阻器。第一电阻器包括：第一金属段和第二金属段，在第一金属层中在第一方向上延伸；以及第三金属段，在第二金属层中在第二方向上延伸并且电连接第一金属段和第二金属段。第二电阻器包括：第四金属段和第五金属段，在第一金...

一种集成电路结构及其形成方法，集成电路包括多个晶体管及形成于所述多个晶体管上方的一层间介电层。该层间介电层包括一第一区域及介电常数高于该第一区域的一第二区域。介电常数差异是通过固化该第一区域而使该第二区域免于固化而产生的。多条金属信号线...

提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将...

一种电路结构及其形成方法，电路结构包含一基板，此基板包含位于基板上方的第一晶体管堆叠，其包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管为第一导电类型。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有异于第一导电类型的第二导电类型。结构还包含在第一晶体管堆...

一种半导体装置及其形成方法以及像素阵列，半导体装置可包括一单光子雪崩二极管(SPAD)，该单光子雪崩二极管经配置用于一基板的一背表面处的照射。该半导体装置可包括该半导体装置的该单光子雪崩二极管与一相邻单光子雪崩二极管之间的一全深沟槽隔离...

一种半导体装置及制造半导体装置的方法，在一实施例中，一种方法包括：在基板上方的绝缘材料内形成第一鳍片及第二鳍片，第一鳍片及第二鳍片包括不同材料，绝缘材料插入第一鳍片与第二鳍片之间，第一鳍片具有第一宽度且第二鳍片具有第二宽度；在第一鳍片上...

一种集成电路装置及其制造方法及系统，集成电路(integrated circuit，IC)装置包括电路区域、在电路区域上方的下部金属层、及在下部金属层上方的上部金属层。下部金属层包括沿着第一轴延长的多个下部导电图案。上部金属层包括沿着横...

提供一种形成半导体装置的方法。在一些实施例中，方法包括形成靶层在半导体基板上方、形成富碳硬遮蔽层在靶层上方，通过蚀刻工艺图案化数个特征在富碳硬遮蔽层中、对被图案化在富碳硬遮蔽层中的这些特征执行定向离子束修整工艺、以及使用富碳硬遮蔽层作为...

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括基底隔离层、第一源电极位于基底隔离层的第一侧的第一晶体管。桥柱延伸穿过基底隔离层，且金属电极将桥柱电连接至第一源电极。金属电极及第一源电极位于基底隔离层的同一侧。位于基底隔离层的相对侧的第二金属...

一种操作半导体工艺系统的方法和半导体工艺系统，包括工艺腔室。工艺腔室包括晶圆支撑件其配置为支撑晶圆。此系统包括钟形罩其配置为在半导体工艺期间位在晶圆上方。钟形罩的内表面以粗糙涂层涂覆。粗糙涂层可以包括锆。粗糙涂层可以包括锆。粗糙涂层可以...

一种制造半导体元件的方法包括：在第一半导体鳍及第二半导体鳍的侧壁上方并沿着侧壁沉积第一介电层，在第一介电层上方沉积第二介电层，使第一介电层凹陷以在第一半导体鳍与第二半导体鳍之间界定虚设鳍，在第一半导体鳍及第二半导体鳍的顶表面及侧壁上方形...

一种半导体装置的制造方法包含形成保护层在基材上。减少保护层的亲水性。形成抗蚀层在保护层上，并图案化抗蚀层。并图案化抗蚀层。并图案化抗蚀层。

一种半导体制造系统及其检测极紫外辐射源的方法，在检测极紫外(EUV)辐射源的方法中，在空闲模式期间，安装在固定装置上的管道镜通过第一开口插入EUV辐射源的腔室中。管道镜包含在第一端处附接至照相机的连接电缆。固定装置包含自第一侧安装在导螺...

提供一种沉积系统及其操作方法，沉积系统能够通过将温度维持在预定温度范围内来防止靶材及其他元件因归因于来自溅射制程的热应力而变形来延长腔室运行时间。沉积系统包含基板处理腔室、基板处理腔室内的靶材及以圆形形式形成在材靶上的多个凹槽。多个凹槽...