一种用于反射光罩的薄膜及其制造方法，用于反射光罩的薄膜包括框架、具有前表面及后表面且设置在框架上方的芯层、设置在芯层的前表面上的第一覆盖层、设置在第一覆盖层上的抗反射层、设置在抗反射层上的阻障层及设置在阻障层上的热发射层。层上的热发射层...

揭示一种用于集成电路装置的互连结构及其形成方法，降低经由互连级介电层形成不需要的通孔的风险。一种形成互连结构的方法包括以下步骤：在第一金属互连特征上方形成第一及第二介电层，其中介电层包括由第一金属互连特征中的凸起引起的局部升高区域。平坦...

一种倍缩光罩载体及其操作的方法，倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至或转移至倍缩光罩。倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余...

在制造半导体元件的方法中，形成包括牺牲栅电极的牺牲栅极结构在基板上。形成第一介电层在牺牲栅极结构上。形成第二介电层在第一介电层上。平坦化并凹陷第二和第一介电层，并且牺牲栅极结构的上部暴露。形成第三介电层在暴露的牺牲栅极结构上和第一介电层...

一种记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路，记忆体阵列包含N堆叠通道栅、赋能线、N型金属氧化物半导体堆叠、字元线及电阻元件矩阵。每一N堆叠通道栅包含串联的第1级P型金属氧化物半导体核心装置及第N级P型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级P...

一种光学集成电路结构及其形成方法，光学集成电路(IC)结构包括：基板，包括形成于基板上表面中且自基板的边缘延伸的光纤槽，及形成于上表面且自光纤槽延伸的底切；设置于基板上的半导体层；设置于半导体层上的介电结构；设置于介电结构中的互连结构；...

一种集成电路及其制造方法，集成电路包括第一电力轨、第二电力轨与电力分接单元。第一电力轨位于集成电路的第一面。第二电力轨位于集成电路的第二面。第一面与第二面位于至少一个互补场效应晶体管的相对面上。电力分接单元耦合至第一电力轨与第二电力轨，...

一种半导体制造系统及在其制造系统中产生极紫外辐射的方法，在一种在半导体制造系统中产生极紫外(EUV)辐射的方法中，气体的一个或多个流被引导通过安装在EUV辐射源的收集器镜的边缘上方的一个或多个气体出口，以在收集器镜的表面上方产生气体的流...

一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括安装于基材上的第一半导体晶粒、安装于基材上且与第一半导体晶粒分离的第二半导体晶粒、在第一半导体晶粒与第二半导体晶粒之间且具有第一密度的第一介电材料、及第一介电材料中的第二介电材料柱，第二介电材料...

一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆及第二晶圆装载至晶圆接合系统中。第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度。在量测相对湿度之后，可将晶圆接合系统内的相对湿度调整至所需范围内。当相对湿度在所需范围内时，将第一晶圆接合至第二晶圆。晶圆接合至第...

一种倍缩光罩外壳、舱以及处置的方法，倍缩光罩外壳包括：一基座，该基座包括一第一表面；一盖，该盖包括一第二表面且设置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间，该内部空间包括一倍缩光罩；及设置于该第一表面上的一静电放电材料层，其中该...

一种形成半导体装置的方法、光侦测器以及形成光侦测器的方法，形成一半导体装置的方法包括：在一半导体基板上形成一经图案化硬式遮罩层；使用包括一第一卤素物质的一第一蚀刻剂执行一第一蚀刻制程以在该半导体基板的一暴露部分中形成一凹部；使用包括一第...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一半导体材料中的第一掺杂区域及第二掺杂区域，第一掺杂区域与第二掺杂区域分开；位于第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的隔离结构；及第一掺杂区域的顶表面上方的第一线，其中第一线的末端及第二线的末端位于...

一种包含单元的集成电路及制造集成电路的方法，集成电路包括多个背侧导电层，该些背侧导电层安置在一基板的一背侧上方。该些多个背侧导电层各自包括导电段。该些背侧导电层中的至少一者中的该些导电段用以传输一或多个电力信号。该些多个背侧导电层的该些...

一种半导体元件的制造方法，实施例是针对一种优化沉积在半导体处理腔室中的半导体基板上的目标材料膜的厚度的方法，其中半导体处理腔室包含位于半导体处理腔室上的磁性组件，磁性组件包含在磁性组件内的多个磁柱。方法包含：操作半导体处理腔室以在位于半...

一种电阻式记忆体装置及对其进行程序化的方法，对一电阻式记忆体装置的记忆体单元进行程序化的方法包括将一电压脉冲序列施加至一记忆体单元以设定该记忆体单元的一逻辑状态。可将电压脉冲的一初始设定序列施加至该记忆体单元，随后是一改良电压脉冲，该改...

一种三维元件结构及其形成方法，三维元件结构包括具有第一半导体基板的第一晶粒、设置在第一晶粒上且包括第二半导体基板的第二晶粒、设置在第一晶粒上且围绕第二晶粒的介电封装层、设置在第二晶粒与介电封装层上的再分布层结构，及嵌入介电封装层中且电连...

一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介...

一种晶圆接合系统及其方法，在一实施方式中，晶圆接合系统包含腔室、气体输入孔与气体输出孔配置以控制腔室的压力在1

一种制造半导体装置的系统与方法，在制造半导体装置的方法中，作为气体的疏水性溶剂被引导流过晶圆的斜面区。在晶圆的顶表面上的斜面区的上斜面上及晶圆的底表面上的斜面区的下斜面上沉积疏水性溶剂的层。在由斜面区封闭的晶圆的顶表面的内部区上设置含金...