集成电路及其制造方法技术

一种集成电路及其制造方法，集成电路包括第一电力轨、第二电力轨与电力分接单元。第一电力轨位于集成电路的第一面。第二电力轨位于集成电路的第二面。第一面与第二面位于至少一个互补场效应晶体管的相对面上。电力分接单元耦合至第一电力轨与第二电力轨，并且配置以从第一电力轨向第二电力轨提供电力。第一电力轨向第二电力轨提供电力。第一电力轨向第二电力轨提供电力。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其制造方法


[0001]本揭露的一些实施方式是有关于一种集成电路与一种制造集成电路的方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)需要向集成电路的不同部件传输电力。集成电路还需要以高效的方式提供电力。集成电路可以包括不同的电力传输电路与方法。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施方式，一种集成电路包括第一电力轨、第二电力轨与电力分接单元。第一电力轨位于集成电路的第一面。第二电力轨位于集成电路的第二面。第一面与第二面位于至少一个互补场效应晶体管的相对面上。电力分接单元耦合至第一电力轨与第二电力轨，并且配置以从第一电力轨向第二电力轨提供电力。
[0004]根据本揭露的一些实施方式，一种集成电路包括第一电力轨、第二电力轨与通孔壁。第一电力轨位于集成电路的第一面。第二电力轨位于集成电路的第二面。第一面与第二面位于至少一个互补场效应晶体管的相对面上。通孔壁，耦合于第一电力轨与第二电力轨之间，且配置以从第一电力轨向第二电力轨提供电力。
[0005]根据本揭露的一些实施方式，一种制造集成电路的方法包括形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：一第一电力轨，位于该集成电路的一第一面；一第二电力轨，位于该集成电路的一第二面，该第一面与该第二面位于至少一互补场效应晶体管的相对面上；以及一电力分接单元，耦合至该第一电力轨与该第二电力轨，并且配置以从该第一电力轨向该第二电力轨提供电力。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该电力分接单元包含一第一通孔、一金属层、一第二通孔、一第一金属扩散层以及一第三通孔，其中：该第一通孔耦合于该第一电力轨与该金属层之间；该金属层耦合于该第一通孔与该第二通孔之间；该第二通孔耦合于该金属层与该第一金属扩散层之间；该第一金属扩散层耦合于该第二通孔与该第三通孔之间；该第三通孔耦合于该第一金属扩散层与一第二金属扩散层之间；以及该第二金属扩散层通过一第四通孔耦合至该第二电力轨。3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，还包含：一第一金属层与一第二金属层，位于该第一面，其中：该第一电力轨位于该第一面的该第二金属层中；该第一面是该集成电路的一背面；以及该第二面是该集成电路的一正面。4.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，还包含：一金属层，位于该第二面，其中：该第二电力轨位于该第二面的该金属层中；该第一面是该集成电路的一背面；以及该第二面是该集成电路的一正面。5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该电力分接单元包含一馈通孔与位于该第一面的一金属层，其中：该馈通孔通过该金属层耦合于该第一电力轨与该第二电力轨之间；以及该金属层提供来自该第一电力轨的该电力。6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，该金属层是位于该第一面的一第一金属层，且该集成电路还包含：一第二金属层，位于该第一面，其中：该第一电力轨位于该第一面的该第二金属层中；该第一面...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡铭谦，彭士玮，林威呈，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：