本揭示内容描述了一种制造半导体结构的方法和半导体结构。此方法可以包括在基板中形成凹陷结构并且在此凹陷结构上方形成第一半导体层。形成第一半导体层的制程可以包括分别地用具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度的第一n型掺质来掺杂第一半导体层的第一部分...

一种一次性可程序化位元单元与集成电路与方法，一次性可程序化位元单元，包括具有正面和背面的基板、在正面上的主动区域、第一读取晶体管、程序晶体管、第一电性连接件、第二电性连接件以及第三电性连接件，其中第一读取晶体管包括第一栅极以及由第一栅极...

一种用于极紫外微影术的装置及其操作方法与极紫外微影方法，在微影装置的直接焦点附近提供超音波气体喷射头，以便使由微影制程产生的锡碎屑远离扫描仪侧且朝向碎屑收集器件偏转。气体喷射头可以定位在各种有用的定向上，具有可调的气流速度及气体密度，以...

一种耦合系统及其使用方法，耦合系统包含用以承载光信号的光纤。耦合系统进一步包含与光纤光通讯的晶片。光纤与晶片的顶表面之间的角度介于约92度至约88度的范围。晶片包含：光栅，用以接收光信号；及波导，其中光栅用以接收光信号且将光信号沿波导重...

本文描述了一种半导体装置及制造此半导体装置的方法。方法包括在多层堆叠中图案化鳍状物及在鳍状物中形成开口的步骤，作为形成多层源极/漏极区域的初始步骤。形成开口进入鳍状物的寄生通道区域中。一旦形成开口，使用自下而上沉积制程在开口底部处沉积源...

一种微机电系统装置及其形成方法，微机电系统(MEMS)装置包含位于外壳内的空腔中的活动梳状结构及固定至外壳的静止结构。活动梳状结构包含梳轴部分及自梳轴部分侧向突出的活动梳指。活动梳状结构包含金属材料部分。活动结构及静止结构被用以基于活动...

本公开提供一种半导体结构和其形成方法。半导体结构包括基板，基板含有在基板的第一区域中的第一主动区域和基板的第二区域中的第二主动区域。半导体结构包括第一主动区域上方的多个第一栅极结构，各个第一栅极结构包括具有第一高介电常数栅极介电质和第一...

提供了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括在基板上沉积铁电层；进行第一游离物理沉积制程以在铁电层上沉积上电极层；图案化上电极层为上电极；以及图案化铁电层为铁电元件，位于上电极下方。位于上电极下方。位于上电极下方。

一种制程管装置、流体检查系统以及检测管内流体内的外部材料的方法，制程管装置可检测可存在于在管中流动的流体内的任何外部材料的存在。制程管装置现场检测外部材料，此举排除对用以在将流体施加在晶圆的表面上之后检查晶圆的表面的分离检查装置的需要。...

结构包括：衬底，包括第一半导体材料；介电部件，嵌入在衬底中；以及第二半导体材料，嵌入在衬底中，第二半导体材料与第一半导体材料具有晶格失配，第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，两个上侧壁与介电部件接触，两个下侧壁与衬底接触，两个下侧...

一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包含在第一纳米结构堆叠体和隔离区域上形成牺牲层。虚拟栅极结构形成于第一纳米结构堆叠体和牺牲层的第一部分之上。牺牲层的第二部分被移除，以曝露与虚拟栅极结构相邻的第一纳米结构堆叠体的侧壁。在虚...

一种半导体结构，包括：第一半导体鳍片，位于基板之上；第二半导体鳍片，位于基板之上，且邻近第一半导体鳍片；金属栅极堆叠，位于基板之上，金属栅极堆叠包括第一区域、第二区域、及第三区域，第一区域位于第一半导体鳍片之上，第二区域位于第二半导体鳍...

一种集成电路装置及其制造方法，集成电路装置包括：一第一类型的主动区半导体结构；与该第一类型的主动区半导体结构堆叠的一第二类型的主动区半导体结构；在一正面导电层中的一正面电力轨条；及在一背面导电层中的一背面电力轨条。该集成电路装置亦包括在...

制造半导体装置的方法包括在基板上形成含有机材料的第一层。在第一层上形成含含硅材料和光酸产生剂的反应产物的第二层。在第二层上形成光敏层，以及对第二层图案化。以及对第二层图案化。以及对第二层图案化。

本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集...

一种存储器器件具有存储器阵列，存储器阵列包括用于储存权重数据的存储器部段、耦合到存储器部段并被配置为在存储器部段中保存要更新的新权重数据的权重缓冲器、逻辑电路和耦合到逻辑电路的输出的计算电路。逻辑电路还具有通过位线耦合到存储器部段的第一...

一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连...

一种集成电路(IC)装置，包括半导体基板、第一连接塔、以及一或多个第一前侧导体及一或多个第一前侧金属通孔。半导体基板包括具有第一功能电路系统的第一半导体基板区段及具有第一静电放电(ESD)箝位电路的第二半导体基板区段。第一连接塔连接至输...

一种电容器结构及其制造方法，形成第一层电容器组合件，第一层电容器组合件包括嵌入第一基板内且包括与至少一个第一节点介电层交错的至少两个第一金属电极层的第一交替式层堆叠以及位于第一前表面上的第一金属接合垫。形成第二层电容器组合件，第二层电容...

一种集成电路及制造集成电路的方法，集成电路包括在一第一金属层中的一正面水平导线、在一第二金属层中的一正面垂直导线、一正面熔丝元件及一背面导线。该正面水平导线经由一正面端子通孔连接器直接连接至一晶体管的漏极端子导体。该正面垂直导线经由一正...