一种半导体装置包括模拟电压调节器及集成电路模块。模拟电压调节器产生经调节的输出电压。集成电路模块基于经调节的输出电压产生模拟感测电压且包括集成电路晶粒、第一感测器、第二感测器及数字电压偏移控制器(DVOC)。第一感测器基于模拟参考电压产...

描述了一种半导体元件结构及其形成方法。在一个实施例中，提供了一种用于形成半导体元件结构的方法。该方法包括在半导体鳍片的一部分上方形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的相对侧上形成栅极间隔物；在未由牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖的半导体鳍片中形...

本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括第一SRAM单元以及第二SRAM单元，其中第二SRAM单元的布局为第一SRAM单元的布局对于两者间的垂直单元边界的镜像。第一SRAM单元包括分别设置于第一鳍片及第二鳍片上方的第一下拉(PD)装...

提供半导体结构的制造方法。根据本公开的范例性方法包含接收鳍状结构，鳍状结构包含第一通道区与第二通道区及第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构，第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构分别设置于第一通道区与第二通道区的上方。此方法也包含将第一虚设栅...

本公开涉及一种半导体装置制造系统。半导体装置制造系统可包括一腔室和在腔室中的一离子源。离子源可包括一出口。离子源可配置来产生一粒子束。半导体装置制造系统可还包括一网格结构，邻近离子源的出口且配置来操控粒子束。网格结构的一第一部分可与网格...

一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极...

本公开涉及一种存储器单元结构及其制造方法，基于GAA晶体管的SRAM设计为在微缩的IC技术节点增加晶体管的通道宽度提供灵活性，并且放宽基于FinFET的SRAM对SRAM效能优最佳化的限制。所述基于GAA的SRAM单元具有主动区布局，其...

一种记忆体装置及其制造半导体装置的方法，记忆体装置包括第一记忆体单元。第一记忆体单元包括:沿横向延伸的第一导体结构；第一记忆体薄膜，其包括第一部分环绕第一导体结构的第一部分；及环绕第一记忆体薄膜的第一部分的第一半导体薄膜。第二导体结构沿...

本揭示文件关于一种集成电路以及其制造方法。集成电路包含第一、第二及第三半导体单元区。第一单元区包含具有第一掺杂类型的第一主动区。第二半导体单元区在第二方向上连接第一单元区，且包含相应地具有第二掺杂类型及第一掺杂类型的第二主动区及第三主动...

本揭示文件描述用于选择电压供应的选择电路、选择系统以及选择方法。此选择电路包含第一控制开关、第一电压供应开关、第二控制开关以及第二电压供应开关。第一控制开关用以接收控制信号以及第一电压供应。第一电压供应开关电性耦合至第一控制开关，且用以...

提供了一种记忆体装置及其操作方法与在其中执行读取操作的方法。记忆体装置的操作方法包括：第一地址经解码以选择记忆体装置的位元线。第二地址经解码以选择记忆体装置的字元线。将字元线电压施加于被选字元线。将位元线电压施加于被选位元线。将第一偏置...

一种半导体制程工具的操作方法及其辐射源。本文中所描述的一些实施方式提供了用于极紫外(EUV)辐射源的技术及设备，该极紫外辐射源包含防后溅系统，以减少、最小化及/或防止在收集器流动环的隧道结构中形成可能会以其他方式由锡(Sn)卫星的累积引...

提供了一种一次性可编程记忆体阵列、记忆体单元及其制造方法。一次性可编程记忆体单元包括：抗熔丝晶体管，其中抗熔丝晶体管的栅极端连接至具有第一信号的第一字元线，且响应于第一信号，抗熔丝晶体管可在第一状态与第二状态之间选择；及连接在抗熔丝晶体...

描述了形成半导体元件结构的方法。在一些实施例中，方法包括在基材上方形成互连结构。在半导体元件结构上方形成互连结构包括形成介电层，接着执行退火制程，接着在介电层中形成一或多个开口，接着执行第一紫外线固化制程，且接着在一或多个开口中形成导电...

一种聚焦环及形成其的方法、等离子体型半导体处理工具。用于等离子体型半导体处理工具的聚焦环被设计为在等离子体蚀刻工艺期间提供和/或确保整个晶片的蚀刻速率均匀性。聚焦环可以包括远离聚焦环的中心倾斜以将等离子体引导至晶片的倾斜内壁。倾斜内壁的...

本发明是关于用于分析经接合工件的界面的方法和相关的工艺工具。所述方法包括产生电磁辐射，电磁辐射定向朝着一对经接合的工件的周边且定向朝着设置在经接合的工件的周边后方的辐射传感器。沿着以电磁辐射进行扫描。测量整个所述扫描冲击在辐射传感器上的...

本揭露实施例是有关于一种集成芯片，其包括第一字线和邻近于第一字线的第二字线。第一字线和第二字线都沿第一方向延伸。第一存储器单元位于第一字线正上方，第二存储器单元位于第二字线正上方。第一位线在第一存储器单元与第二存储器单元上方延伸，且沿着...

一种半导体封装包括衬底、半导体管芯、盖体以及粘着层。半导体管芯与衬底连接。盖体位于半导体管芯以及衬底上。粘着层夹在盖体与半导体管芯之间。粘着层包括金属热界面材料(thermal interface material，TIM)层以及与金属...

本公开提供一种方法，所述方法包括在半导体结构的微机电系统结构上方和通道上方形成密封结构的第一金属层，所述通道通过半导体结构的MEMS结构至集成电路形成。第一金属层在第一温度下形成。所述方法包括在第一金属层之上形成第二金属层。第二金属层在...

在本公开实施例中，半导体封装包括：重布线结构，包括多个第一导电图案和多个第二导电图案，其中所述第一导电图案分别为类椭圆形，所述第二导电图案分别为圆形；管芯，设置在所述重布线结构上方且与所述重布线结构电连接；底胶，位于所述管芯和所述重布线...