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台湾积体电路制造股份有限公司专利技术
台湾积体电路制造股份有限公司共有17109项专利
存储单元、半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
本公开的实施例提供存储单元,存储单元包括与源极线和位线接触的沟道材料;与沟道材料接触的铁电材料;以及与字线接触的铁电材料。铁电材料设置在沟道材料和字线之间。字线包括块层。块层包括第一金属层;以及第二金属层。第二金属层夹在第一金属层和铁电...
半导体封装和其制造方法技术
一种半导体封装和其制造方法。在一实施例中,结构包括芯衬底、耦合到芯衬底的第一侧的重布线结构、包括多个重布线层的重布线结构,多个重布线层中的每一个包括介电层和金属化层,以及嵌入在多个重布线层的第一重布线层中的第一局部互连组件,第一局部互连...
半导体加工工具及其排气系统技术方案
本发明提供一种半导体加工工具及其排气系统。半导体加工工具可包括处理槽。半导体加工工具可以包括布置为将多个晶圆保持在处理槽上方的臂,使得多个晶圆中的晶圆水平堆栈在处理槽上方。半导体加工工具可以包括布置在臂上方的风扇,以允许在垂直方向上向处...
工艺机台以及半导体组件的制造方法技术
在一些实施例中,本公开涉及工艺机台,其包括界定工艺腔的腔室壳体。工艺腔内有晶圆卡盘,晶圆卡盘配置为容置衬底。此外,钟罩结构设置在晶圆卡盘之上,使得钟罩结构的开口面向晶圆卡盘。等离子体线圈安置在钟罩结构之上。氧气源耦合到工艺腔并配置为将氧...
存储器结构及其制造与控制方法技术
本公开的存储器结构包括:包括静态随机存取存储器元件的阵列的第一存储器区;包括单一晶体管
半导体结构、装置及其形成方法制造方法及图纸
本发明的各种实施例提供半导体结构、装置及其形成方法,其中半导体结构包括第一重布线路结构、设置在第一重布线路结构上的第一局部内联线元件,以及设置在第一局部内联线元件的第二侧上的第一内联线结构。第一局部内联线元件包括多个第一多个重分布层。第...
测试设备以及其使用方法技术
本发明实施例是有关于一种测试设备以及其使用方法。一种用于半导体封装件的测试设备包括电路板、多个测试图案以及插座。所述电路板具有测试区域且包括分布在所述测试区域内的多个测试接触件以及多个信号接触件。所述多个测试图案嵌入于所述电路板中并电连...
半导体结构、形成堆叠单元层及堆叠二维材料层的方法技术
一种半导体结构包括半导体衬底、多个堆叠单元、导电结构、多个介电质、第一电极条带、第二电极条带以及多个接触结构。堆叠单元在半导体衬底之上向上堆叠,且包括第一钝化层、第二钝化层及夹置在第一钝化层与第二钝化层之间的沟道层。导电结构设置在半导体...
用于探测待测装置的设备及方法制造方法及图纸
一种用于探测待测装置的设备包括设置在待测装置之上的固定装置、沿固定装置的轮廓设置的线路膜、第一信号连接件和设置在线路膜上并朝向待测装置延伸的多个探针。线路膜包括附接到固定装置的顶部侧壁的第一部分,第一信号连接件设置在线路膜的第一部分上并...
三维集成电路封装件及其形成方法技术
提供一种三维集成电路封装件及其形成方法。在实施例中,三维集成电路(3DIC)封装件包括中介物、多个连接垫、多个虚设图案、多个集成电路结构以及底部填充层。连接垫布置在中介物的第一侧上且电性连接至中介物的第一侧。虚设图案设置在中介物的第一侧...
封装结构及其形成方法技术
提供一种封装结构及其形成方法。该方法包括:提供具有多个第一管芯与多个第二管芯于其中的第一封装体;进行第一切割工艺,以将所述第一封装体切割为多个第二封装体,其中所述多个第二封装体中的一者包括三个第一管芯与一个第二管芯;以及进行第二切割工艺...
电子装置以及电子装置的认证方法与形成方法制造方法及图纸
电阻随机存取存储阵列包括多个存储器单元。每个存储器单元包括环绕式栅极晶体管和电阻器装置。电阻器装置包括第一电极,第一电极包括多个导电奈米片。电阻器装置包括围绕导电奈米片的高介电常数电阻元件。电阻器装置包括通过电阻元件与导电奈米片分离的第...
半导体器件、存储单元及其形成方法技术
一种存储单元包括底部电极、存储元件、选择器、顶部电极及连接结构。存储元件设置在底部电极上。选择器设置在存储元件上。顶部电极设置在选择器上。连接结构将存储元件电连接到选择器,其中连接结构包括基底部分及柱部分。基底部分设置在存储元件上。柱部...
半导体封装、接合工件的方法和制造半导体封装的方法技术
本公开提供一种半导体封装包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括具有沿第一方向配置的多个第一标尺图案的第一对位图案。第二半导体器件安装在第一半导体器件之上并且包括具有沿平行于第一方向的第二方向配置的多个第二标尺图案的第二对...
半导体装置、半导体封装件以及其制造方法制造方法及图纸
本公开实施例是有关于一种半导体装置、半导体封装件以及其制造方法。一种半导体装置包括衬底、内连线结构以及多个导电通孔。所述衬底具有第一侧、第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的侧壁,其中所述侧壁包括所述衬底的第一部分的第一平面侧壁、所述衬...
具有背侧电源结构的垂直型半导体元件及其形成方法技术
在一个例子中,所描述的半导体结构包括:闸极结构,包括闸极衬垫和闸极衬垫上的闸极接触件;位于闸极衬垫下方的第一源极区;位于闸极衬垫上方的第一漏极区,其中第一源极区、第一漏极区和闸极结构形成第一晶体管;位于闸极衬垫下方的第二源极区;位于闸极...
存放器系统及控制方法技术方案
公开一种EUV存放器和一种EUV盒器件。EUV存放器包括AI驱动的动态控制电路、AI控制的安全联锁和独立的回风控制器件。EUV存放器包括与一个或多个阀协同操作的质量流量控制(MFC)。EUV存放器还包括碳氢化合物检测组合件、氧气检测组合...
卷取装置及卷取方法制造方法及图纸
在一些实施方式中,卷取装置可以通过围绕卷轴定位的导向块组的接收端接收材料。导向块组配置有在接收端处的开口且配置有一个或多个内表面,内表面配置为在围绕卷轴的表面的路径上引导材料。导向块组中的一个或多个内表面是弧形以整体沿着卷轴的表面。卷取...
集成逻辑组件和无源组件结构及其制造方法技术
半导体组件包括基底、覆盖在基底上的全环绕式栅极(GAA)组件和覆盖在GAA组件上方的薄膜晶体管(TFT),以及覆盖在TFT上方的无源组件。基底、GAA组件、TFT和无源组件随后彼此相互堆叠,并且至少彼此部分地重叠。过孔包括第一端、第二端...
半导体管芯制造技术
半导体管芯包括半导体基底、内连结构以及导电凸块。内连结构设置在半导体基底上且电性连接到半导体基底。内连结构包括堆叠的多个内连层。堆叠的多个内连层的每一个包括介电层及嵌置在介电层中的内连布线。堆叠的多个内连层中的第一内连层的内连布线还包括...
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