本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第...

在一些实施方案中，一个或多个半导体加工机台可形成半导体器件的通孔。一个或多个半导体加工机台可在通孔内沉积金属插塞。一个或多个半导体加工机台可在通孔内的金属插塞上沉积氧化物基层。一个或多个半导体加工机台可在通孔内的氧化物基层上沉积电阻器。...

本公开的各种实施例针对一种集成电路包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括存储单元的阵列。每个存储单元包括晶体管和相变存储组件。晶体管介于相变存储组件和第二芯片之间。之间。之间。

本公开的各种实施例针对集成芯片(IC)。集成芯片包括衬底。电阻器上覆在衬底上。电阻器包括上覆在衬底上的电阻结构。电阻器还包括上覆并电耦合到电阻结构的导电接点。顶盖结构设置在导电接点上方，其中顶盖结构在导电接点的上表面上方横向延伸并沿导电...

一种形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法包括：在第一衬底上形成第一介电层；在第二衬底上形成缓冲层；在第二衬底之上的缓冲层上形成半导体盖；在缓冲层中形成分裂平面；在形成分裂平面后在半导体盖上形成第二介电层；将第二衬底上的第二介电层接合到...

一种半导体元件、晶片及其制造方法，半导体元件包含源极及一对漏极，该对漏极在第一方向上设置于源极的任一侧上且与源极间隔开。在第一方向上延伸的通道层在垂直于第一方向的第二方向上设置于该源极及该对漏极的至少一个离轴外表面上。在第一方向上延伸的...

本案提供一种感测装置及制造感测放大器的方法，感测放大器包括具有第一输入栅极及第一漏极/源极端子的第一输入晶体管，具有第二输入栅极及第二漏极/源极端子的第二输入晶体管、闩锁电路及第一电容器。闩锁电路包括第一闩锁晶体管及第二闩锁晶体管，第一...

一种形成半导体器件的方法包括：利用第一粘合剂将第一局部内连线组件贴合到第一衬底；在第一局部内连线组件的第一侧之上形成第一重布线结构；以及从第一衬底移除第一局部内连线组件及第一重布线结构且将第一重布线结构贴合到第二衬底。方法还包括：从第一...

本发明实施例提供一种集成电路结构包括半导体衬底、钝化层、第一保护层及第二保护层。钝化层设置于半导体衬底之上。第一保护层设置于钝化层之上。第二保护层设置于第一保护层之上，其中第一保护层的边界框限于第二保护层内。内。内。

本发明实施例是有关于一种半导体封装件总成及其制造方法。一种半导体封装件总成包括电路板、散热元件以及半导体装置。电路板包括导电图案。散热元件位于所述电路板上，其中所述散热元件连接到所述导电图案。半导体装置位于所述电路板上和位于所述散热元件...

本公开实施例提供封装衬底。封装衬底包括具有空腔孔的衬底和位于空腔孔中的半导体组件。半导体组件有第一接线端侧和与第一接线端侧相对的第二接线端侧。封装衬底还包括在空腔衬底的第一接线端侧上的第一重布线结构以电性耦接到半导体组件的第一接线端侧上...

一种半导体装置包括半导体衬底、互连线层和电感器图案。互连线层配置在半导体衬底上。电感器图案电连接至互连线层。电感器图案包括与第一端子连接的第一导电线、与第二端子连接的第二导电线以及多个导电线圈。导电线圈将第一导电线连接至第二导电线，且包...

在一些实施例中，本公开实施例涉及一种集成电路及其建造方法。所述集成电路包括第一绝缘层、衬底、第二金属互连结构、衬底通孔以及堆迭深沟渠电容结构。第一绝缘层包括堆迭于底部管芯上方的第一金属互连结构。衬底设置在第一绝缘层上方。第二金属互连结构...

本发明的各种实施例提供一种针对一种用于形成半导体结构的方法。该方法包括将第一晶圆和第二晶圆装载到接合平台上，使得第二晶圆覆盖第一晶圆。借助于多个晶圆销执行对齐工艺，以在第一晶圆上对齐第二晶圆，其中在对准工艺期间，多个第一参数与晶圆销相关...

本发明提供一种半导体封装件和半导体元件。在一个实施例中，半导体封装件包括封装件、第一集成无源元件以及第二集成无源元件。第一集成无源元件设置在封装件下。第二集成无源元件设置在封装件和第一集成无源元件之间。第一集成无源元件透过第二集成无源元...

一种包括晶体管和内存单元的内存组件。晶体管包括第一闸极、设置在第一闸极上方的第二闸极、设置在第一闸极和第二闸极之间的第一信道层、设置在第一信道层的相对侧的第一源极和第一漏极、设置在第二闸极上方的第三闸极、设置在第二闸极和第三闸极之间的第...

一种晶体管包括沟道层、栅极堆叠以及源极/漏极区。沟道层包括石墨烯层以及分散在石墨烯层中的六方氮化硼(hexagonal boron nitride，hBN)片。hBN片的排列方向(orientation)实质上对齐。栅极堆叠位于沟道层上...

一种集成电路具有角落区以及角落区之间的非角落区，且包括半导体衬底、导电垫、钝化层、后钝化层、第一导电柱以及第二导电柱。导电垫配置在半导体衬底上。钝化层以及后钝化层依序地配置在导电垫上。第一导电柱以及第二导电柱配置在后钝化层上且与导电垫电...

一种半导体元件、半导体晶片以及制造半导体元件的方法，半导体元件包含源极以及在第一方向上与源极分隔开的漏极。通道层在垂直于第一方向的第二方向上径向向外设置于源极和漏极的至少一个径向外表面，通道层在第一方向上延伸。记忆层在第二方向上设置于通...

一些实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括第一衬底，第一衬底包括在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间。多层阻焊结构在第一衬底上...