本发明提供一种能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下的光源以及生成极紫外光的方法。根据本发明的各种实施例的光源包括：处理器；液滴产生器，用于产生液滴以产生极紫外光；集光器，用于将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，用于产生预...

一种形成半导体器件的方法包括将集成电路管芯贴合到第一基底；集成电路管芯包括位于第二基底中的有源器件、邻近第二基底的垫以及邻近第二基底的介电层，所述介电层包括具有酯基的聚酰亚胺；形成围绕集成电路管芯的包封体；以及移除介电层。以及移除介电层...

本公开提供一种半导体封装包括衬底、以朝向衬底的边缘的偏移位置设置于衬底上的第一半导体器件以及设置在衬底之上并围绕第一半导体器件的环结构。环结构包括悬设于衬底的边缘之上的悬臂部。缘之上的悬臂部。缘之上的悬臂部。

提供一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：第一层级、第二层级以及第三层级。第一层级包括中介层。第二层级配置在第一层级上，且包括底部管芯。第三层级配置在第二层级上，且包括多个第一管芯与至少一第二管芯。至少一第二管芯配置在多个第一管芯之...

本公开关于一种自动化物料运输系统轨道管控的系统与制造方法，并描述了基于薄膜晶体管的温度传感器电路的实施例。基于薄膜晶体管的温度传感器电路包括：具有薄膜晶体管的第一频率产生器、具有互补式金属氧化物半导体晶体管的第二频率产生器、第一计数器组...

本公开涉及对例如等离子体刻蚀工艺、等离子体化学气相沉积工艺、等离子体物理气相沉积工艺、等离子体清洁工艺或类似工艺等射频(RF)工艺的原位闭环RF功率管理。根据本公开的一个或多个实施例的RF功率测量器件有助于对RF过程的原位闭环RF功率管...

本发明提供一种像素传感器及制造其的方法，所述方法在衬底上沉积接触刻蚀停止层。接触刻蚀停止层包括小于约12％的氢。沉积接触刻蚀停止层包括在高于约600℃的温度、高于约150Torr的压力和/或在至少高于约70:1的比例的NH3和SiH4下...

本文中公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，包括：制造光刻胶混合物，所述光刻胶混合物包括表面活性剂、基础溶剂、在温度上具有高于所述基础溶剂的沸点的一种或多种沸点改性溶剂、以及比所述基础溶剂更亲水的一种或多种亲水性改性溶剂；使用湿膜工...

一种薄膜沉积系统包括位于晶片上方且配置成在薄膜沉积工艺期间产生等离子体的顶板。所述系统包括配置成生成表示位于晶片及顶板之间的间隙的传感器信号的间隙传感器。所述系统包括配置成在薄膜沉积工艺期间响应传感器信号来调整间隙的控制系统。信号来调整...

本揭示文章揭露了一种可程序化调节器压控环形振荡器的重对齐方法、重对齐装置以及重对齐系统。重对齐方法包含以下步骤。基于一个或多个调控字串对电阻器组阵列的可变电阻进行设定。从锁相回路电路接收一个电压，此电压由耦合到电阻器组阵列的运算放大器接...

一种半导体组件，其包括半导体管芯、第一导电垫、第二导电垫、第一连接件结构和第二连接件结构。第一导电垫设置在半导体管芯上，其中第一导电垫具有第一侧向尺寸。第二导电垫设置在半导体管芯上，其中第二导电垫具有第二侧向尺寸。第一连接件结构设置在第...

一种集成芯片，其包括衬底，衬底具有用以定一沟渠的第一对相对侧壁。沟渠延伸到衬底的前侧表面。第一源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。第二源极/漏极区沿着衬底的前侧表面设置。闸极结构设置在沟渠内，且闸极结构在侧向上排列在第一源极/漏极区和第...

公开一种包括存储单元和写辅助电路的器件。存储单元包括第一反相器以及与第一反相器交叉耦合的第二反相器。写辅助电路连接至存储单元。在存储单元的写操作期间，写辅助电路经配置通过偏置电压差调节提供给第一反相器或第二反相器的操作电压的电压水平。本...

本发明的实施例提供了一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至处理室，其中：传送室包括：一个或多个真空端口，自顶向下看，位于传送室内部且邻近传送室的侧壁设置，并且传送室内部的气体通过真空端口排出；和通气端口，自顶向下看，位于传送室内部且...

本申请涉及一种预处理盒，用于存储清洁湿巾，预处理盒包括盒体、盒盖和托板，盒体具有容纳腔以及与容纳腔连通的开口，托板设置于容纳腔内并用于承载容纳腔内存储的清洁湿巾，托板与盒体的底面之间间隔设置并形成夹层，托板上间隔开设有多个过滤孔，盒盖设...

本实用新型涉及一种夹持装置、机械手以及机械装置，用于夹持晶盒以及晶舟中的至少一者，夹持装置包括承载件和夹持组件，承载件具有预定的长度、宽度以及厚度，夹持组件设置于承载件上，夹持组件包括在承载件的长度方向成对设置并相对分布的夹持件，每个夹...

本申请实施例提供的运输装置用于与抽气泵连接，运输装置包括：基台和滑移组件。基台包括多个通孔，通孔用于与抽气泵的进气口连通；滑移组件设于基台，滑移组件包括导轨和滑座，导轨沿第一方向延伸，滑座与导轨可移动连接，多个通孔沿导轨设置。滑移组件中...

一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二...

本公开涉及一种半导体制程系统以及方法。半导体制程工具原位执行钝化层沉积以及去除。包括在半导体制程工具中的传送机构将半导体结构转移通过不同的沉积腔室(例如，在不打破真空或去除真空环境的情况下)。因此，半导体制程工具在金属层上沉积更薄的目标...

半导体装置的制造方法，用于制造含有自对准气体间隔物的集成电路装置，包括形成虚置栅极、形成侧壁于虚置栅极上、形成虚置层于侧壁上、形成栅极结构于侧壁所定义的开口中、移除第一虚置层的至少一部分以形成第一凹陷于侧壁层与虚置栅极之间，以及盖住第一...