像素传感器及制造其的方法技术

本发明专利技术提供一种像素传感器及制造其的方法，所述方法在衬底上沉积接触刻蚀停止层。接触刻蚀停止层包括小于约12％的氢。沉积接触刻蚀停止层包括在高于约600℃的温度、高于约150Torr的压力和/或在至少高于约70:1的比例的NH3和SiH4下沉积接触刻蚀停止层材料。在接触刻蚀停止层上方沉积硅基层。进行刻蚀操作进入硅基层中直到到达接触刻蚀停止层，以形成沟槽隔离结构。本发明专利技术可以减少(或消除)鬼影效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
像素传感器及制造其的方法


[0001]本专利技术是有关于一种像素传感器及用于制造其的方法。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器利用光敏CMOS电路(称为像素传感器)将光能转换为电能。像素传感器通常包括以硅衬底形成的光电二极管。当光电二极管暴露于光线时，经由诱发在光电二极管中产生电荷。光电二极管中的电荷的取样(sample)可用于生成数码图像。

技术实现思路

[0003]本公开实施例的一种像素传感器，包括：衬底；接触刻蚀停止层，设置在所述衬底上，其中所述接触刻蚀停止层包括小于约12％的氢；硅基层，设置在所述接触刻蚀停止层上方，其中所述硅基层包括光电二极管；以及一个或多个沟槽隔离结构，穿过所述硅基层设置至所述接触刻蚀停止层。
[0004]本公开实施例的一种制造像素传感器的方法，包括：在衬底上沉积接触刻蚀停止层，其中沉积所述接触刻蚀停止层包括在高于约600℃的温度且高于约150Torr的压力下沉积接触刻蚀停止层材料；在所述接触刻蚀停止层上方沉积硅基层；以及进行刻蚀操作进入所述硅基层中直到到达所述接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素传感器，包括：衬底；接触刻蚀停止层，设置在所述衬底上，其中所述接触刻蚀停止层包括小于12％的氢；硅基层，设置在所述接触刻蚀停止层上方，其中所述硅基层包括光电二极管；以及一个或多个沟槽隔离结构，穿过所述硅基层设置至所述接触刻蚀停止层。2.根据权利要求1所述的像素传感器，其中所述光电二极管的上表面包括多个角，其中多个所述角具有在80度到100度的范围内的角度。3.根据权利要求1所述的像素传感器，其中所述光电二极管的上表面为矩形。4.根据权利要求1所述的像素传感器，其中基于所述接触刻蚀停止层内氢原子的原子百分比，所述接触刻蚀停止层包括小于12％的氢。5.一种制造像素传感器的方法，包括：在衬底上沉积接触刻蚀停止层，其中沉积所述接触刻蚀停止层包括在高于600℃的温度且高于150Torr的压力下沉积接触刻蚀停止层材料；在所述接触刻蚀停止层上方沉积硅基层；以及进行刻蚀操作进入所述硅基层中直到到达所述接触刻蚀停止层，以形成沟槽隔离结构。6.根据权利要求5所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政贤，陈永祥，李家豪，叶玉隆，陈彦秀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：