真空装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至处理室，其中：传送室包括：一个或多个真空端口，自顶向下看，位于传送室内部且邻近传送室的侧壁设置，并且传送室内部的气体通过真空端口排出；和通气端口，自顶向下看，位于传送室内部且邻近传送室的侧壁设置，并且从通气端口供应通气气体，其中，自顶向下看，传送室的中心线通过传送室的几何中心和传送室的侧壁，一个或多个真空端口和通气端口布置为使得从通气端口的至少一个至一个或多个真空端口的气流相对于传送室的中心线线对称，在传送室的中心线上且在邻近传送室的侧壁处设置有至少一个共用通气端口。本发明专利技术的实施例还提供了一种操作真空装置的方法。施例还提供了一种操作真空装置的方法。施例还提供了一种操作真空装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
真空装置及其操作方法
[0001]分案申请
[0002]本申请是2018年08月24日提交的标题为“处理衬底或晶圆的装置”、专利申请号为201810974509.4的分案申请。


[0003]本专利技术的实施例涉及真空装置，更具体地，涉及用于处理晶圆或衬底的真空装置及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体制造工艺或平板显示器件(例如，液晶显示器)需要各种真空处理，例如膜沉积工艺和蚀刻工艺。在真空处理期间，产生不期望的副产物并且该副产物成为降低半导体器件或平板器件的良率的颗粒。因此，控制由副产物引起的颗粒是半导体器件制造操作和/或平板显示器制造操作中要解决的问题之一。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例提供了一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至所述处理室，其中：所述传送室包括：一个或多个真空端口，所述传送室内部的气体通过所述真空端口排出；以及通气端口，从所述通气端口供应通气气体，以及所述一个或多个真空端口和所述通气端口布置为使得从所述通气端口的至少一个至所述一个或多个真空端口的气流相对于所述传送室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至所述处理室，其中：所述传送室包括：一个或多个真空端口，自顶向下看，位于所述传送室内部且邻近所述传送室的侧壁设置，并且所述传送室内部的气体通过所述真空端口排出；和通气端口，自顶向下看，位于所述传送室内部且邻近所述传送室的侧壁设置，并且从所述通气端口供应通气气体，其中，自顶向下看，所述传送室的中心线通过所述传送室的几何中心和所述传送室的侧壁，所述一个或多个真空端口和所述通气端口布置为使得从所述通气端口的至少一个至所述一个或多个真空端口的气流相对于所述传送室的中心线线对称，在所述传送室的中心线上且在邻近所述传送室的侧壁处设置有至少一个共用通气端口。2.根据权利要求1所述的真空装置，其中，所述通气端口相对于所述传送室的中心线线对称布置。3.根据权利要求1所述的真空装置，其中，在每个所述处理室前面的所述传送室中提供至少一个通气端口。4.根据权利要求3所述的真空装置，其中，所述一个或多个真空端口布置为与所述传送室的侧壁平行。5.根据权利要求1所述的真空装置，其中，在所述传送室中提供两个或多个真空端口。6.一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至所述处理室；闸阀，分别提供在所述传送室和所述处理室之间；泵送系统；气体供应；一个或多个真空端口，自顶向下看，设置在所述传送室内部且邻近所述传送室的侧壁，并且分别经由一个或多个真空阀连接至所述泵送系统；通气端口，自顶向下看，设置在所述传送室内部且邻近所述传送室的侧壁，并且分别经由通气阀连接至所述气体供应；以及控制器，用于控制至少所述一个或多个真空阀和所述通气阀，其中，至少一个共用通气端口设置在所述传送室的中心线上且邻近所述传...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷立钊，邱钰凌，杨裕隆，林鸿彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：