本申请提供了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的鳍结构，其中该鳍结构包括鳍和位于鳍上方的层堆叠，该层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成第一伪栅极结构和第...

一种半导体结构，包括设置在半导体基底上方的介电层；以及形成于介电层中且分布于多个金属层中的密封环结构。密封环结构还包括金属层的第一金属线，设置在第一区域中且沿第一方向纵向取向；金属层的第二金属线设置于第二区域中且沿第一方向纵向取向；以及...

本申请公开了一种检测装置，该检测装置包括壁部和连接件，壁部包括测试壁部、围合壁部以及可视壁部，测试壁部、围合壁部以及可视壁部围合形成气压腔，测试壁部具有与气压腔连通的测试孔，测试孔用于连接待测件，测试壁部用于通过测试孔测试待测件的密封性...

提供一种半导体装置的形成方法。在此描述的低流量钨化学气相沉积(CVD)技术提供了半导体基板上的大抵上均匀的钨的沉积。在一些实施方式中，将处理蒸汽的流动提供到CVD处理室，相较于六氟化钨的流速较高的情况，使得六氟化钨在处理蒸汽中的流速导致...

本申请的实施例提供了一种集成电路(IC)器件，其包括具有半导体衬底的芯片，和嵌入半导体衬底中的热电模块，其中，热电模块包括第一半导体结构，第一半导体结构电连接至第二半导体结构，其中，热电模块的底部延伸穿过半导体衬底的厚度，并且其中，第一...

一种半导体装置，包括具有顶面的基板、沿第一方向纵向延伸的鳍、源极部件和漏极部件、沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且介于源极部件和源极部件之间的具有栅极堆叠的栅极结构。直接设置在栅极堆叠上的栅极通孔、电性连接源极部件的源极通孔以及电性连接...

一种半导体结构的制造方法，包含在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片。半导体结构的制造方法包含在第一鳍片及第二鳍片的上方形成一或多个功函数层。半导体结构的制造方法包含在一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜。半导体结构的制造方法包含以可图...

一种包括跳过电路块的计算器件和系统以及方法，用于以按字输入和按位加权的方式对输入向量和权重向量的乘积执行部分和累加，以得到部分累加的乘积和。在每个权重位之后将部分累加的乘积和与阈值条件进行比较，当部分累加的乘积和满足阈值条件时，断言跳过...

本实施例提供一种集成芯片，其包括一半导体装置。半导体装置包括一第一源极/漏极结构、一第二源极/漏极结构、一通道结构的堆叠及一栅极结构。通道结构的堆叠及栅极结构位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间。栅极结构环绕通道结构的堆叠。一...

一种集成芯片包含位于一基板上的一半导体层。一对源极/漏极沿着上述半导体层排列。一第一金属层位在上述基板上。一第二金属层位在上述第一金属层上。一铁电层位在上述第二金属层上。上述第一金属层具有一第一晶体方向，上述第二金属层具有与上述第一晶体...

半导体器件包括位于鳍上方的第一栅极结构和第二栅极结构、夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的介电切割图案以及围绕介电切割图案的衬垫层。介电切割图案与鳍间隔开，并且距衬底比第一栅极结构的第一栅电极和第二栅极结构的第二栅电极延伸地更远。该半导...

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一纳米结构和第二纳米结构。半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括包裹环绕第一纳米结构的第一部分和包裹环绕第二纳米结构的第二部分。半导体结构还包括夹在栅极结构的第一部分和...

物理不可克隆功能(PUF)器件包括第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器中的每个包括公共栅极节点和公共漏极节点。第一反相器的公共漏极节点电连接至第二反相器的公共栅极节点。PUF器件还包括：公共输出节点；第一RMD，电连接至第一反...

一种半导体装置及监测半导体装置的温度的方法，半导体装置包括：温度无关电流产生器，产生实质上与温度无关的参考电流及为参考电流实质上的复制品的镜像电流；脉冲信号产生器，对镜像电流进行采样以产生脉冲信号；及计数器，获取由脉冲信号产生器产生的脉...

本申请的实施例提供了一种互连结构及其形成方法。该方法包括：在第一介电层中形成第一导电部件，在第一导电部件上方形成第一金属帽并接触第一导电部件，在第一介电层和第一金属帽上方形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层上方形成第二介电层；以及蚀刻第二介电层...

一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第...

本揭示文件提供一种集成电路及其制造方法，包含一组晶体管，该组晶体管包含一组主动区、一组电轨、一第一组导体以及一第一导体。该组主动区沿着一第一方向延伸，且位于一第一层。该组电轨沿着该第一方向延伸，且位于一第二层。该组电轨具有一第一宽度。该...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法包括形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成电介质层，以及蚀刻电介质层以形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。该方法还包括沉积延伸到接触开口中的电介质间隔件层，蚀刻电介质间隔件层以在接...

揭示了一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包括储存位元数据的位元单元。位元单元包括耦合至节点的多个第一晶体管；多个第二晶体管，各个第二晶体管串联耦合至第一晶体管中的相应一者；及至少一第三晶体管。第一晶体管响应于控制信号而开启。第二晶体...

本案提供一种形成互连结构的方法，包括以下操作：在第一导电特征上沉积第一介电层，在第一介电层上沉积第一遮罩层，以及在第一遮罩层上沉积第二遮罩层。在第一遮罩层及第二遮罩层中图案化第一开口，此第一开口具有第一宽度。在第一开口的底表面中图案化第...