本公开提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一基板、一第一钝化层、一金属层、一第二钝化层以及一聚合物层。第一钝化层形成在基板之上。金属层共形地形成在第一钝化层上。第二钝化层共形地形成在第一钝化层及金属层上。一阶梯结构形成在第二钝化层...

一种半导体装置的制造方法，所述气隙与延伸到装置的源极/漏极部件的接触元件相邻。所述方法的一些实施例包括沉积虚设层，且随后移除所述虚设层以形成气隙。形成诸如氮化硅的SAC介电层在相邻的金属栅极结构上方之后，可以形成虚设层及后续的气隙。以形...

一种半导体装置，包括一对鳍部结构，位于一半导体基底上，每个都包括一垂直堆叠的多个通道层；一介电鳍部，平行于鳍部结构延伸且位于鳍部结构之间；以及一栅极结构，位于鳍部结构上并垂直于鳍部结构延伸，栅极结构与多个通道层啮合。介电鳍部包括一鳍部底...

形成半导体器件的方法包括：在突出于衬底之上的鳍结构上方形成伪栅极结构，其中，鳍结构包括鳍和鳍上方的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口暴露第一半导体材料...

在本案的一些态样中，揭示了一种记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法。在一些态样中，记忆体电路包括：第一储存元件，此第一储存元件耦接到第一位元线；第一晶体管，此第一晶体管耦接在第一储存元件与中心节点之间；第二储存元件，此第二储存元件耦接到...

本公开总体涉及调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏。一种方法包括：形成包括多个牺牲层和多个纳米结构的突出半导体堆叠，其中多个牺牲层与多个纳米结构交替布置。该方法还包括在突出半导体堆叠上形成虚设栅极结构，蚀刻突出半导体堆叠以形成源极/漏极凹...

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底；以及单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，单元区包括形成在衬底中在第一方向上延伸的有源区；相对于在垂直于第一方向的第二方向上的假想第一参考线，有源区的第一多数具有...

用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括...

器件包括包含有源区域的衬底、有源区域上方的栅极堆叠件以及栅极堆叠件上方的硬掩模。硬掩模包括覆盖层、沿覆盖层的侧壁和底部延伸的支撑层、以及沿着支撑层的侧壁和底部延伸的衬垫层。支撑层包括金属氧化物材料或金属氮化物材料。本发明的实施例还提供了...

用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于E...

在此揭露一种集成半导体装置与其制作方法、及双极互补动态金氧半场效晶体管装置。集成半导体装置可包含第一晶体管、第二晶体管。第一晶体管包含第一栅极与至少一个第一主动区域。第二晶体管包括第二栅极与至少一个第二主动区域。其中第二晶体管与第一晶体...

一种形成半导体装置的方法和半导体封装，形成半导体装置的方法包括：在载体上方形成第一互连件结构；在载体上方形成散热块；在第一互连件结构上方形成多个金属柱；在第一互连件结构和散热块上方形成第一集成电路晶粒；移除载体；使用第一电性连接器和散热...

一种集成电路及其制造方法，集成电路包含在第一连接层中的第一电压电力轨及第二电压电力轨，且包含在第一连接层下方的第一电压下层电力轨及第二电压下层电力轨。第一电压电力轨及第二电压电力轨中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一电压下层...

本申请公开了半导体器件结构及形成方法。本公开涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括第一小芯片，第一小芯片占主导性地具有耦合到在第一衬底之上的第一多个互连的第一多个集成芯片器件。第一多个集成芯片器件是第一类型集成芯片器件。集成芯片结构还包括第...

一种PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法，PVD(物理气相沉积)设备包括配置以窄化过滤溅镀粒子为粒子束的准直器、配置以支撑腔体内的基材的静电吸盘、屏蔽遮罩及腔体板。腔体板包括具有多个螺帽片的螺帽片部分与在腔体板...

本揭露是有关于验证倾斜布局元件的装置、方法及非暂态计算机可读取媒体。在一些情形中，具有自基础轴倾斜的一侧的倾斜布局元件被侦测。另一些情形中，倾斜布局元件自基础轴倾斜的那侧相对于基础轴的偏移角被决定。在另一些情形中，倾斜布局元件根据偏移角...

形成半导体结构的方法包括：将半导体器件附接至衬底的第一表面；将热界面材料(TIM)膜放置在半导体器件的远离衬底的第一侧上方，其中，在放置之前预先形成TIM膜，其中，在放置之后，TIM膜的外围部分横向延伸超出半导体器件的侧壁；以及将盖附接...

本发明实施例涉及半导体制造厂房中的外气处理装置及使用所述装置净化空气的方法。本发明实施例提供一种半导体制造厂房。所述半导体制造厂房包含周围控制环境及经配置以将清洁空气供应到所述周围控制环境的外气处理装置。所述外气处理装置包含具有进气口及...

一种电容器晶片、半导体结构及其形成方法。在基板中形成侧向围绕装置区域的壕沟沟槽。在壕沟沟槽中形成导电金属基板外壳结构。在基板中形成深沟槽，且在深沟槽中形成沟槽电容结构。可通过移除基板的背侧部分来减薄基板。导电金属基板外壳结构的背面经物理...

提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方，其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上，而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有...