一种测量图案，其用于监测接合晶片的迭对位移，所述接合晶片包括顶部晶片图案以及底部晶片图案。顶部晶片图案包括第一部分，其具有沿着第一轴测量的宽度Wx1。底部晶片图案包括第一部件，其具有沿着第一轴测量的宽度Wx2，其中顶部晶片图案的第一部分...

一种集成电路(IC)的金属化结构包含：金属间介电(IMD)层；图案化金属层，嵌入在IMD层中；图案化顶部金属层，配置在IMD层上；电通孔，包括穿过IMD层的通孔材料且连接图案化顶部金属层和嵌入在IMD层中的图案化金属层；以及金属

本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括衬底、电路区及围绕电路区的密封环区。电路区包括两个第一源极/漏极、连接两个第一源极/漏极的第一半导体层及设置在两个第一源极/漏极之间并环绕每个第一半导体层的第一栅极结构。密封环区包括两个外延成长半...

本实用新型涉及一种标尺组件，其包括定位构件和卡尺，定位构件包括第一支撑部和第二支撑部，定位构件上设有距第一支撑部远离定位构件的端部的距离以及距第二支撑部远离定位构件的端部的距离均为圆晶片的半径的连接孔；卡尺的游标结构沿主尺结构设有刻度的...

本发明的实施例提供了一种通孔柱结构，包括：第一导体在所述半导体堆叠件的第一互连层内横越第一方向和第二方向；第二导体在所述半导体堆叠件的第二互连层内横越第一方向和第二方向；以及多个通孔结构，包括包括第一通孔至第四通孔，连接第一导体和第二导...

本申请的实施例提供了半导体器件及操作时钟发生器的方法。半导体器件包括存储器体以及第一和第二时钟发生器。第一时钟发生器包括被配置为接收外部时钟信号的第一晶体管。第一时钟发生器被配置为生成基于外部时钟信号并且控制对存储器体的写入和读取的全局...

一种产生影像的方法及系统，方法包括以下操作：缩小输入影像以产生缩小影像；对缩小影像执行具有第一非局部操作的第一卷积神经网络(CNN)建模程序，以产生全域参数；及对输入影像执行具有使用全域参数执行的第二非局部操作的第二CNN建模程序，以产...

一种半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法，半导体装置包含半导体鳍、隔离结构、栅极结构、源极/漏极结构、感测触点、感测垫结构及读取触点。半导体鳍包含通道区及位于通道区相对两侧的源极/漏极区。隔离结构横向围绕半导体鳍。栅极结构位于半导体...

半导体制造设备包括第一高温计和第二高温计，分别配置为监测来自基座上的晶圆背侧上的第一点和第二点的热辐射。半导体制造设备包括位于外延成长腔室的第一区域中的第一加热源以及位于外延成长腔室的第二区域中的第二加热源，其中第一控制器配置为基于监测...

本公开提供一种半导体结构的形成方法。根据本公开的方法，包括：提供一工作部件，包括多个有源区(其包括通道区及源极/漏极区)以及在通道区与多个有源区相交的多个虚置栅极堆叠。虚置栅极堆叠包括一装置部及一端部。上述方法还包括：沉积一栅极间隔件于...

一种半导体装置，包括晶体管，包括源极/漏极区，包括：前表面和后表面，后表面相对前表面；以及自对准硅化物(salicide)区，在后表面上；通道区，接触源极/漏极区，并包括与源极/漏极区的前表面共平面的前表面；以及栅极结构，设置在通道区的...

一种半导体结构，包括基板、从基板突出的半导体鳍片，其中半导体鳍片包括在垂直方向上堆叠的多个半导体层、与半导体鳍片的多个通道区接合的栅极堆叠以及设置相邻于栅极堆叠并且在半导体鳍片的多个源极/漏极(S/D)区中的多个S/D特征。在本实施例中...

在形成外延源极/漏极部件之前形成内侧壁间隔件，并且在形成外延源极/漏极部件之后形成外侧壁间隔件。两层级侧壁间隔件设计增加了外延源极/漏极部件的体积，从而提高了离子性能。较厚的侧壁间隔件也减小了源极/漏极接触件和栅电极之间的电容。在一些实...

本公开提出一种半导体结构。包括在制作工艺时形成凹陷于金属层中，以改善制成并降低导电通孔的接点电阻。半导体结构包括介电层、金属层、蚀刻停止层、与导电通孔。介电层的上表面延伸高于金属层的上表面，且导电通孔的下表面延伸低于介电层的上表面。延伸...

本公开描述一种抛光方法和一种抛光设备，可增强用于化学机械抛光制程的研磨浆氧化性。抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借...

本公开涉及一种将磁性穿隧接面连接至铜互连线的方法、一种磁阻式随机存取存储器的形成方法及一种半导体装置。一个或多个半导体加工工具可在铜互连线的上表面上及导通孔中沉积一个或多个氮化钽层。一个或多个半导体加工工具可在一个或多个氮化钽层的上表面...

提供一种半导体晶粒封装。所述半导体晶粒封装包括一半导体晶粒以及设置于半导体晶粒之下的一封装基板。半导体晶粒具有一角落。封装基板包括数个导电线，且在半导体晶粒的所述角落下方的导电线中的一者包括一第一线段及一第二线段。第一线段和第二线段连接...

本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结...

静态随机存取存储器(SRAM)单元的读取端口包括读取端口传输闸(R_PG)晶体管和读取端口下拉(R_PD)晶体管。SRAM单元的写入端口包括至少一写入端口传输闸(W_PG)晶体管、写入端口下拉(W_PD)晶体管和写入端口上拉(W_PU)...

说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述...