一种存储器器件包括乘法单元和可配置求和单元。乘法单元被配置为接收第N层的数据和权重，其中N是正整数。乘法单元被配置为将数据乘以权重以提供乘法结果。可配置求和单元由第N层值配置以接收第N层数量的输入并执行第N层数量的加法，并且对乘法结果求...

根据本申请的实施例，提供了一种IC结构包括MTJ单元、晶体管、第一字线和第二字线。晶体管电耦合到MTJ单元。晶体管包括第一栅极端子和独立于第一栅极端子的第二栅极端子。第一字线电耦合到晶体管的第一栅极端子。第二字线电耦合到晶体管的第二栅极...

本发明的实施例涉及一种存储器器件及其读写方法。存储器器件包括：被配置为储存数据的存储器阵列、耦合到存储器阵列的感测放大器电路、以及耦合到感测放大器电路的读取电路，其中读取电路包括接收读取列选择信号以用于激活的第一输入。读取电路在读取操作...

本发明的实施例提供了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管，第一纳米结构晶体管包括：多个第一半导体纳米结构，位于衬底上方；和源极/漏极区，与每个第一半导体纳米结构接触。集成电路包括第二纳米结构晶体管，第二纳米结构晶体管包括...

本发明提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板；第一接点结构与第二接点结构，彼此相邻并位于基板上；以及第一介电层与第二介电层，分别形成于第一接点结构与第二接点结构上。第一介电层的顶部可包括第一介电材料。第一介电层的底部可包括第二介电材料...

本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。以第一光刻胶层为蚀刻掩模蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，岛状图案与第一导电层的汇流条图案通过环形沟...

提供了一种形成半导体存储器结构的方法。所述方法包括在衬底上方形成堆叠件，并且堆叠件包括垂直交替布置的第一介电层和第二介电层。方法还包括形成穿过堆叠件的第一介电柱，以及蚀刻堆叠件以形成第一沟槽。第一介电柱的侧壁暴露于第一沟槽。方法还包括去...

本公开涉及一种用于制造集成电路结构的方法和一种集成电路结构。一种方法包括蚀刻半导体衬底，以形成位于第一半导体条带和第二半导体条带之间的沟槽。第一半导体条带在第一半导体条带的顶端下方约5nm处具有第一宽度，并在第一半导体条带的顶端下方约6...

在一些实施例中，本公开涉及一种形成集成芯片的方法。该方法包括在衬底上方形成下电极层，以及在下电极层上方形成未图案化的非晶初始层。在未图案化的非晶初始层上形成具有基本均匀的非晶相的中间铁电材料层。执行退火工艺以将中间铁电材料层改变为具有基...

互连结构包括介电层和位于介电层中的金属线。该金属线具有在金属线的纵长向方向上延伸的第一直边缘和第二直边缘。该第一直边缘与该第二直边缘彼此平行。通孔位于金属线下面并与之接合。该通孔具有位于第一直边缘下面并与第一直边缘垂直对准的第三直边缘，...

一种用于唤醒铁电存储器的方法被提供。一晶片是形成有多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线、及构成一铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三...

提供了一种近眼显示系统。近眼显示系统包括框架、至少一个近眼感测器、第一近眼显示器、第二近眼显示器及处理单元。框架包含主体及两个镜腿。至少一个近眼感测器安装在主体上。第一近眼显示器安装在主体上。第二近眼显示器安装在主体上。处理单元位于两个...

所公开的电容器结构包括支撑结构，支撑结构包括每个沿纵向方向、横向方向和垂直方向延伸的多个细长结构。多个细长结构包括第一介电层和第二介电层的交替堆叠件、形成在支撑结构上方的底部电极、形成在底部电极上方的第三介电层以及形成在第三介电层上方的...

本发明提出一种集成电路装置的形成方法及半导体装置。在凹陷中形成内连线结构之前，在凹陷中的侧壁厚度的一部分中形成阻挡层。通过基于等离子体的沉积操作在侧壁的部分厚度中形成阻挡层，其中前驱物与富硅表面反应以形成阻挡层。阻挡层形成在侧壁的部分厚...

本公开的一些实施例提供了一种纳米结构晶体管装置及半导体装置的形成方法。方法包括形成一凹槽部于纳米结构晶体管装置内，用于纳米结构晶体管装置的一源极/漏极区。上述方法也包括形成一内间隔层于凹槽部的一底部及凹槽部的多个侧壁上。上述方法还包括蚀...

本公开提供半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括沿第一方向延伸的第一金属线、与第一金属线纵向对齐并与第一金属线隔开的第二金属线、以及沿第一方向延伸的第三金属线。第三金属线包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的分支，并且分支在第...

本公开涉及半导体装置及其形成方法。钛前驱物用于在半导体装置中选择性地形成硅化钛(TiSi

本公开涉及半导体装置及其制造方法。外延区可形成于半导体晶圆上的特定位置中并具有特定的不对称特性，诸如斜率或倾斜的方向、斜率或倾斜的角度、及/或其他的不对称特性。不对称外延区可使用本公开描述的各种以等离子体为主的鳍片结构蚀刻技术来形成。特...

本公开描述了一种具有背面接触结构的半导体装置的形成方法。所述方法包括形成半导体装置在基板的第一侧上。所述半导体装置包括源极/漏极(S/D)区域。所述方法更包括蚀刻在基板的第二侧上的S/D区域的一部分，以形成开口；及形成外延接触结构在开口...

一种半导体装置的制造方法，包括：形成鳍片结构，其中多个第一半导体层与多个第二半导体层交替堆叠，第一半导体层及第二半导体层具有不同的材料成分；在鳍片结构上形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物；蚀刻鳍片结构的源极/漏极(s...