本公开提供晶圆接合装置及方法。方法包括对第一晶圆的第一表面执行第一电浆活化制程。第一电浆活化制程在第一晶圆的第一表面上形成第一高活化区域及第一低活化区域。对第一晶圆的第一表面执行第一清洁制程。第一清洁制程在第一高活化区域及第一低活化区域...

本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括具有第一侧及第二侧的基材。半导体元件在第一侧上包括：沿着第一横向方向延伸并且包含第一及第二子区域的主动区域，沿着第二横向方向延伸并且在主动区域上方设置的第一栅极结构，以及电性耦合至第...

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括沿着第一方向延伸的第一栅极结构与第二栅极结构、沿着垂直第一方向的第二方向延伸的第一基层金属互连(M0)图案与第二M0图案、位于第一栅极结构与第二栅极结构之间且沿着第一方向延伸的第三M0图案、位于...

本揭露提供一种半导体制程设备及其使用方法，用于半导体制程的溶液分配系统是包含较长的循环回路，以最小化自光阻泵浦至分配喷嘴的闲置部分。T字阀及控制阀是设置在靠近喷嘴处，以减少闲置部分及减少材料消耗。以减少闲置部分及减少材料消耗。以减少闲置...

在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定处理室的室壳体。在处理室内是被配置成对工件进行固持的工件固持器装置。声呐传感器布置在工件固持器装置之上。声呐传感器包括：发射器，被配置成生成朝工件固持器装置行进的声波。声呐传感...

本公开的各种实施例涉及一种集成芯片。所述集成芯片包括半导体衬底。半导体层设置在半导体衬底之上。绝缘结构隐埋在半导体衬底与半导体层之间。绝缘结构具有第一区及第二区。绝缘结构在绝缘结构的第一区中具有第一厚度，且绝缘结构在绝缘结构的第二区中具...

本公开的各种实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括衬底。空腔设置在衬底中。微机电系统(MEMS)层设置在衬底之上。MEMS层包括设置在空腔之上的可移动膜片。可移动膜片包括中心区及外围区。可移动膜片在可移动膜片的中心区中...

半导体封装件包括：第一管芯；第一再分布结构，位于第一管芯上，第一再分布结构与第一管芯共末端；第二管芯，位于第一管芯上，第一管芯的第一部分延伸超出第二管芯的横向范围；导电柱，位于第一管芯的第一部分上并且与第二管芯横向相邻，导电柱电耦合到第...

一种半导体器件包括：具有沟道区的衬底；位于沟道区上方的栅极堆叠件；覆盖栅极堆叠件的侧壁的密封间隔件，密封间隔件包括氮化硅；覆盖密封间隔件的侧壁的栅极间隔件，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及覆盖栅极间隔...

方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还...

本发明的实施例提供了一种晶圆转移方法以及晶圆装载系统。该方法包括在烘箱室的装载端口上设置晶圆盒。晶圆盒包含一个或多个带有半导体晶圆的晶舟。晶舟通过晶圆盒的壁槽支撑在晶圆盒中。使用推杆，转移一个或多个晶舟离开晶圆盒并且进入设置在装载端口上...

集成电路包括第一单元、第二单元、缓冲区域和第一电源轨。第一单元包括在第一方向上延伸的第一鳍组。第一鳍组的每个鳍对应于第一晶体管组的晶体管。第二单元包括在第一方向上延伸的第二鳍组。第二鳍组的每个鳍对应于第二晶体管组的晶体管。第二鳍组在第二...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括两个电路区和两个内密封环，每个内密封环均围绕一个电路区。每个内密封环具有大致矩形的外围，同时带有四个内角应力消除(CSR)结构。半导体结构还包括围绕这两个内密封环的外密封环。外密封环具有大致矩形的...

一种形成半导体器件的方法，包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底之上外延生长半导体层，图案化半导体层以在第一区域中形成第一鳍和在第二区域中形成第二鳍，以及在第一鳍和第二鳍的侧壁上沉积介电材料层。该方法还包括执行退火工艺...

根据本申请的实施例，提供了用于制造半导体器件的方法，包括：形成第一半导体鳍、第二半导体鳍、以及在第一和第二半导体鳍之间的混合鳍；凹进蚀刻第一半导体鳍和混合鳍，同时第二半导体鳍被第一掩模覆盖；形成连接到第一半导体鳍的第一外延源极/漏极部件...

一种存储器件包括包含第一漏极/源极端子的第一晶体管和包含第一栅极端子的第二晶体管。第一导电路径电连接在第一漏极/源极端子和第一栅极端子之间。第一导电路径包括电连接在第一漏极/源极端子和第一导电层的第一轨道之间的第一导电通孔，以及电连接在...

半导体器件包括器件部件。半导体器件包括具有第一金属的第一硅化物层，其中，第一硅化物层嵌入在器件部件中。半导体器件包括具有第二金属的第二硅化物层，其中，设置在器件部件之上的第二硅化物层包括直接接触第一硅化物层的第一部分。第一金属与第二金属...

本发明的实施例公开了输入/输出器件、低压差稳压器电路及其操作方法。该低压差稳压器电路包括被配置为根据输出电压生成反馈电压的分压器电路、被配置为根据反馈电压和参考电压输出驱动信号的运算放大器以及包括多个电流路径的传输门电路。电流路径由驱动...

一种系统包括：高带宽存储器(HBM)，包括：第一感测单位，配置为产生与第一存储单元中的第一晶体管对应的一个或多个第一环境信号；以及第二感测单位，配置为产生对应于第二存储单元中的第二晶体管的一个或多个第二环境信号；以及差分动态电压和频率缩...

本发明的实施例提供了一种半导体器件、触发器电路和制造集成电路的方法。半导体器件包括第一、第二和第三导电区域以及第一有源区域和第二有源区域。第一导电区域具有第一宽度并沿着第一方向延伸。第二导电区域具有第二宽度并沿着第一方向延伸。第一宽度大...