根据本申请的一个实施例，提供了一种用于形成半导体器件的方法包括确定用于蚀刻在晶圆中的多个电介质区域的目标蚀刻深度。晶圆包括多个突出的半导体鳍和在多个突出的半导体鳍之间的多个电介质区域。该方法还包括蚀刻多个电介质区域，将光束投射到晶圆上，...

本申请的实施例，提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的方法，该方法包括：在第一方向上流动压力下的第一气体穿过第一扩散器管，从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；在第二方向上流动压力下的第二气体穿过第二扩散器管，从而...

提供了半导体结构和形成半导体结构的方法。方法包括接收具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在半导体衬底上方形成介电层；去除介电层的部分以在第一区域中形成介电结构，其中，介电结构包括基底结构和位于基底结构上方的多个第一隔离结构；形成覆盖第一...

本公开涉及激光脱键载体及其复合载体。一种方法包括将封装组件键合到复合载体。该复合载体包括基底载体和吸收层，并且该吸收层位于基底载体和封装组件之间。将激光束投射到复合载体上。该激光束穿透基底载体以烧蚀吸收层。然后可以将基底载体与封装组件分...

在实施例中，器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一半导体鳍，突出至隔离区域之上；第二半导体鳍，突出至隔离区域之上；以及介电鳍，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间，介电鳍突出至隔离区域之上，介电鳍包括：第一层，包括具有第一碳浓度的第一介电材...

半导体器件包括：第一晶体管，具有第一栅极堆叠件和位于第一栅极堆叠件的相对侧上的第一源极/漏极区域；第二晶体管，具有第二栅极堆叠件和位于第二栅极堆叠件的相对侧上的第二源极/漏极区域；以及栅极隔离结构，将第一栅极堆叠件与第二栅极堆叠件分隔开...

一种记忆体元件包含自旋轨道转移(SOT)底部电极、SOT铁磁自由层、第一穿隧能障层、自旋转移力矩(STT)铁磁自由层、第二穿隧能障层、及参考层。SOT铁磁自由层位于SOT底部电极之上。SOT铁磁自由层具有可通过SOT底部电极使用自旋霍尔...

揭示改进的栅极结构及包括改进的栅极结构的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括位于半导体基板上方的栅极结构，栅极结构包括高k值介电层；位于高k值介电层上方的栅极；位于高k值介电层及栅极上方且与高k值介电层及栅极接触的导电帽，导电帽的...

一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电...

在实施例中，一种装置包括：能量源；支撑平台，用于保持晶片；光学路径，从能量源延伸到支撑平台；以及光掩模，被对准成使得光掩模的图案化主表面平行于重力，其中光学路径穿过光掩模，其中光掩模的图案化主表面垂直于支撑平台的最顶表面。的最顶表面。的...

提供了有助于从器件的背侧实施物理故障分析(PFA)测试的半导体器件和方法。在至少一个实例中，提供了包括半导体器件层的器件，半导体器件层包括多个扩散区域。第一互连结构设置在半导体器件层的第一侧上，并且第一互连结构包括至少一个电接触件。第二...

一种晶圆定位方法及离子暴露装置，晶圆定位方法包括放置晶圆于布植机压板上，晶圆包括多个集成电路晶粒；通过用相机测量集成电路晶粒的外边缘的位置，测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及将布植机压板旋转角位移。布植机压...

一种溶液回收装置、湿式工艺装置及其操作方法，溶液回收装置包含：一泵浦，用以循环一溶液；一喷嘴，用以分配该溶液；一喷嘴槽，用以容纳该喷嘴的一末端，及用以在该溶液分配后接收该溶液，该喷嘴槽包含一冲洗气体入口与一溢流路径；以及一缓冲槽，用以从...

本揭示案的各种实施例是有关于集成晶片与其形成方法。集成晶片包括基板。基板包括金属层、设置于金属层上方的装置层、及垂直设置于金属层与装置层之间的绝缘层。半导体装置设置于装置层上。层间介电层设置于半导体装置及基板上方。基板上方。基板上方。

本公开涉及晶体管器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法包括：去除第一虚设栅极结构以围绕第一纳米结构和第二纳米结构形成凹部；利用可流动化学气相沉积(CVD)在凹部中沉积牺牲层；以及图案化牺牲层以留下牺牲层在第一纳米结构和第二纳米结构之间的...

一种方法包括形成从基底突出的第一和第二半导体鳍部。第一和第二半导体鳍部各包括交替的通道层和非通道层的一堆叠。方法还包括在第一和第二半导体鳍部之间形成一介电头盔，在介电头盔上形成一虚置栅极堆叠，图案化虚置栅极堆叠以暴露出一部分的介电头盔，...

半导体装置包括基板。半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物...

本公开提供一种半导体装置。根据本公开的半导体结构包括基板、设置在基板上方的鳍状结构，鳍状结构包括与多个第二半导体层交错的多个第一半导体层、设置在鳍状结构的通道区上方的栅极结构、延伸穿过鳍状结构的至少一第一部分的第一源极/漏极特征、延伸穿...

一种半导体装置，包括第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物沿着第一方向延伸。半导体装置包括介电鳍状物沿着第一方向延伸且位于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括金属栅极层沿着...

一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。在制程期间，一垫调节件调节上述垫。一杂质...